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工業OTSUKA大塚 FE-5000 紅外光譜橢偏儀 

工業OTSUKA大塚 FE-5000 紅外光譜橢偏儀 

FE-5000系列光譜橢偏儀

除了能夠進行高精度薄膜分析的光譜橢偏儀之外，該系統還集成了一個自動可變測量角度機構，使其能夠處理所有類型的薄膜。此外，通過在傳統的旋轉分析器方法中增加一個自動相位差板安裝/拆卸機構，測量精度得到了進一步提高。

可以在紫外-可見光波長范圍（300-800 nm）內測量橢偏參數。

可以對納米級多層薄膜的膜厚進行分析。

利用具有 400 多個通道的多通道光譜儀可以快速測量橢球光譜。

可變反射角測量能夠對薄膜進行詳細分析。

光學常數數據庫和配方注冊功能的加入提高了易用性。

測量項目

橢球參數（tanψ，cosΔ）的測量

光學常數分析（n：折射率，k：消光系數）

薄膜厚度分析

測量目標

半導體晶片柵氧化物

薄膜、氮化物薄膜SiO?

、Si?O? 、 SiN、SiN? 、 Al?O? 、 SiN?O? 、多晶硅、ZnSe、BPSG和TiN光刻膠的光學常數（ 波長色散）。

化合物半導體

Al x Ga (1-x)作為多層薄膜，非晶硅

FPD

定向膜

各種新材料：

類金剛石碳（DLC）、超導薄膜、磁頭薄膜。

光學薄膜

TiO? 、SiO? 、抗反射涂層

在光刻領域中

，對不同波長的 N 和 K 進行評估 ，包括 g 線 (436nm)、h 線 (405nm) 和 i 線 (365nm)。

 原則

含有s波和p波的線偏振光入射到樣品上，并測量反射光的橢圓偏振。s波和p波的相位和振幅獨立變化，得到兩個與樣品相關的偏振變換參數：p波和s波反射率之比tanψ和相位差Δ。

tanψ 和 consΔ 被稱為橢偏參數，在光譜橢偏儀中，測量這兩個參數隨波長變化的光譜。

 規格

規格

模型FE-5000系列

測量方法旋轉分析儀法* 1

測量薄膜厚度范圍（nd）0.1納米至1微米

入射（反射）角范圍45-90°

入射（反射）角驅動系統自動正弦桿驅動系統

tanψ測量精度±0.01 或更小

cosΔ測量精度±0.01 或更小

薄膜厚度的重復性0.01% 或更低* 2

波長范圍* 3300-800納米

測量光源高穩定性氙燈

舞臺驅動系統手動/自動

*1 偏振器可驅動，相位差板可有效消除死區，并且可以安裝和拆卸。

*2 數值適用于使用 VLSI 標準 SiO2 薄膜 (100nm)。

*3 數值適用于啟用自動平臺選擇功能的情況。

我司代理及優勢品牌一覽明細：

代理品牌：CCS晰寫速SEN日森、EYE巖崎、REVOX萊寶克斯、SERIC索萊克

SONIC索尼克、SANKO三高、NEWKON新光、HAYASHI 林時計、NPM日脈

NS日本科學、DRY-CABI東利繁、TOKISANGYO東機

SIBATA柴田、SUGIYAMA杉山、Kakuhunt寫真化學、NIPPON GEAR日本齒輪

NIDEC尼得科、MIYACHI天田、TORAY 東麗  watson沃森  DIC迪愛生   INNODIS 一諾迪思  ARLIN艾阿爾

優勢品牌：USHIO牛尾、TOPCON拓普康、TAKASAG代理O高砂、FUNATECH船越龍、ORC歐阿西

SAGADEN嵯峨、SAKAZUME坂詰、TORAY東麗、DNP大日本科研、TOKYO DENSHOKU電色、KKIMAC

S-VANS斯萬斯、ORIHARA折原、LUCEO魯機歐、HIKARIYA光屋、YAMADA山田光學

AND艾安得、T&D天特、JIKCO吉高、DKK-TOA東亞電波、OKANO岡野、ANRITSU安立計器

IMV艾目微、MITUTOYO三豐、KYOWA共和、ONOSOKKI小野、SANEI三榮、HEIDON新東科學KURABO倉紡、SHOWA昭和、THINKY新基、AIKOH愛光、SEM坂本電機

SURUGA駿、SANSYO三商、ITOH伊藤、NAGARISHI成茂、

RKC理化、MACOME碼控美、EIWA榮和、EXCEL艾庫斯、YODOGAWA淀川等

優勢產品：日本紫外線照度計、紫外線裝置燈管、LED視覺光源、表面檢查燈、手持檢測燈

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