微波精密單層微片 MuRata/村田 電容器 CLB055C0R6B1000TC1

微波精密單層微片 MuRata/村田 電容器 CLB055C0R6B1000TC1

（一）整體結構構成

器件為無疊片單層陶瓷芯體，上下表面沉積厚度≥2μm 純金電極，無側邊引出端；標準本體 0.50mm×0.50mm，厚度 0.12mm，可按需雙面鍍金錫涂層適配共晶貼裝。采用窄幅專用 SMD 載帶卷帶包裝，僅適配芯片鍵合工藝，常規錫膏回流焊會腐蝕損傷金電極，不適用標準貼片制程。

（二）溫漂與高頻電氣性能

溫度穩定性：-25℃~85℃區間溫漂 0±30ppm/℃，高低溫、直流偏置工況下無明顯容量衰減，射頻匹配曲線一致性穩定。

高頻特性：單層結構寄生電感極低，VHF、UHF、毫米波頻段低損耗，適合高頻信號隔直、阻抗匹配、耦合濾波。

絕緣耐壓：額定 100Vdc，耐壓測試 250Vdc/60s，漏電流極小，長期高壓微電流回路運行可靠。

（三）核心電氣參數

工作溫區：-55℃~+125℃

介質特性：高精度溫度補償型陶瓷，相對介電常數 39，低介電損耗材質

電氣規格：靜電容量 0.6pF，容差 ±0.1pF；直流額定 100V；耐電壓 250Vdc；25℃絕緣電阻≥100000MΩ

（四）合規與適用場景

行業標準：全系列滿足 RoHS、REACH 環保管控，不含限制類有害物質；無 AEC-Q200 車規認證，不可用于車載動力安全電控部件。

適配電路：5G / 毫米波射頻模塊、光通信發射接收組件、微波功率放大電路、精密射頻測量儀器、雷達高頻匹配回路；不可用于植入式醫療設備、工頻高壓電源濾波。