射頻低損耗單層微型陶瓷電容器 MuRata/村田 CLB095C1R2K1000TC1

射頻低損耗單層微型陶瓷電容器 MuRata/村田 CLB095C1R2K1000TC1

（一）整體結構構成

器件為單層單片陶瓷芯體，上下表面沉積厚度≥2μm 純金電極，無側邊引出端；本體規格 0.95mm×0.95mm，厚度統一標準尺寸，可鍍金錫層適配共晶焊接。采用專用窄幅 SMD 載帶卷裝，僅適用于芯片鍵合工藝，常規錫膏回流焊會腐蝕金電極，不可通用貼片制程。

（二）溫漂與高頻電氣性能

溫度穩定性：-25℃~85℃溫漂控制 0±30ppm/℃，高低溫、帶直流偏置工況下容量衰減微弱，射頻匹配一致性穩定。

高頻特性：單層極簡結構寄生電感極低，VHF 至毫米波區間損耗低，用于高頻耦合、隔直、阻抗調諧。

絕緣耐壓：額定 100Vdc，250Vdc/60s 耐壓測試合格，漏電流極低，適合微電流高頻線路長期運行。

（三）核心電氣參數

工作溫區：-55℃~+125℃

介質特性：高精度溫度補償陶瓷，低介電損耗材質

電氣規格：靜電容量 1.2pF，容差 ±0.5pF；直流額定 100V；耐電壓 250Vdc；25℃絕緣電阻≥100000MΩ

（四）合規與適用場景

行業標準：全系列滿足 RoHS、REACH 環保管控，不含限制有害物質；無 AEC-Q200 車規認證，不能用于車載動力安全電控部件。

適配電路：5G 毫米波射頻模組、光通信發射接收模塊、微波功放、射頻精密檢測儀器、雷達高頻匹配線路；不可用于植入式醫療設備、工頻高壓電源濾波。