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日本Santec公司于1987年成功研制出*一臺單一縱向震蕩外腔半導體激光器。Santec光測試設備包括可調諧激光器、可調諧濾波器、可編程光處理器、偏振消光比測試儀，空間光調制器、光衰減器和光延遲線，OCT系統。Santec在光通信領域，開展了與世界的傳輸設備制造商之間的業務。應用這項技術，開發、生產、銷售用于波長掃描型的SweptSourceOCT（以下簡稱SS–OCT）的光源、平衡探測器、探頭、干涉儀等設備。
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日本 Santec 非接觸式晶圓厚度分布測量儀詳細信息
日本 Santec 非接觸式晶圓厚度分布測量儀 日本 Santec 非接觸式晶圓厚度分布測量儀
1. 產品概述
TMS-2000 是 Santec 專為第三代半導體、硅基晶圓打造的高精度非接觸測厚系統，區別于傳統接觸式臺階儀、普通白光干涉儀，采用光外差干涉方案，解決高摻雜硅光吸收強、粗磨面反射差、雙折射透明材料難檢測的行業痛點。
設備僅需單面打光，晶圓固定在治具上無需翻面即可完成全域螺旋掃描；整機小型化設計，耐受車間溫度波動與設備振動，長期測量數據穩定；配套一體化分析工作站，自動生成厚度分布云圖、SEMI 標準化平坦度參數、表面缺陷殘差圖譜，支持多片晶圓差分對比，覆蓋晶圓研磨、外延、切割全制程品質管控。
2. 核心硬件與性能特征
核心五大特性
亞納米超高精度
光外差干涉測量，重復測量精度≤1 nm，滿足優良半導體晶圓微米級厚度管控需求。
高耐環境干擾
搭載 Santec 抗溫漂、抗振動光路，普通車間無需恒溫防震臺即可穩定測量，降低配套基建成本。
高速螺旋全域掃描
螺旋式掃描兼顧檢測速度與采樣密度，完整覆蓋晶圓全域，無測量盲區。
緊湊型一體化整機
設備體積小巧，擺放無空間限制，可靈活布置于實驗室臺面或產線抽檢工位。
全維度半導體參數解析
支持全局平坦度（GLFR、GLD、GBIR）、點位平坦度（SFQR、SFQD、SBIR）、邊緣平坦度（ESFQR）全套 SEMI 標準參數，搭配 Zernike 多項式解析凹陷、劃痕微缺陷。
關鍵硬件規格
適用晶圓尺寸：4–12 英寸
測量方式：單面紅外非接觸掃描
重復測量精度：≤1 nm
掃描模式：高速螺旋全域掃描
兼容材質：高摻雜 Si、粗研磨晶圓、SiC、LiNbO?、多層復合外延片、各類透明雙折射半導體基材
3. 三大核心測量功能
厚度分布測量
配套專用分析軟件，可視化生成晶圓全域厚度云圖，一鍵導出厚度均值、極差、分布直方圖，支持多批次晶圓厚度差分對比，快速識別外延層厚度不均。
標準化平坦度測量
嚴格遵循 SEMI 半導體行業標準，自動計算全局、局部、邊緣平坦度指標，圖形化統計結果導出，直接匹配晶圓廠品質報表規范。
Zernike 殘差缺陷分析
通過 Zernike 多項式擬合解析晶圓面型，定量表征表面凹陷（SAG）、細微劃痕、局部翹曲缺陷，用于研磨工藝優化與不良品溯源。
4. 兼容三大類特殊半導體樣品
高摻雜硅晶圓
外差干涉高靈敏檢測，克服高濃度摻雜硅內部光吸收難題，傳統非接觸傳感器無法測量的重摻晶圓可穩定測厚。
粗面研磨晶圓
晶圓粗磨階段無需拋光，粗糙背面、研磨紋理不影響測量精度，覆蓋研磨工序在線管控。
雙折射透明功率半導體
適配 SiC 碳化硅、LiNbO?鈮酸鋰等射頻、功率電子熱門基材，針對低反射、偏振敏感透明材料優化光路，檢測靈敏度優異。
5. 核心應用場景
硅基集成電路：4/6/8/12 英寸硅片、高低摻雜外延片厚度與平坦度全制程檢測
第三代功率半導體：SiC 碳化硅晶圓、氮化鎵襯底層厚分布、翹曲缺陷篩查
光通信芯片：LiNbO?鈮酸鋰薄膜、光學襯底厚度均勻性測量
晶圓制造工藝研發：研磨、刻蝕、外延工藝效果對比、多批次晶圓差分分析
半導體產線抽檢：小型整機適配車間工位，非接觸無損檢測，樣品可回流裝配
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內容聲明：
您訪問的日本 Santec 非接觸式晶圓厚度分布測量儀產品信息，由深圳秋山工業設備有限公司自行發布提供，產品價格為面議，如您想了解更多關于日本 Santec 非接觸式晶圓厚度分布測量儀型號、參數、用途等信息，歡迎咨詢。
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