隨著動力電池向高續航、高能量密度方向迭代,硅碳負極已成為行業主流技術路線。鋰離子電池石墨負極理論容量僅 372 mAh/g,硅材料理論容量高達 3579 mAh/g,是石墨近10倍,兼具儲量豐富、嵌鋰電位低等優勢,是高能量密度負極核心材料。
但硅有致命短板:嵌脫鋰會出現劇烈體積膨脹制約電池循環壽命,硅在充分嵌鋰狀態下的體積膨脹可超過300%,長期循環易出現顆粒粉化、電極脫層、導電網絡斷裂,電池壽命快速衰減等問題。目前研發人員普遍采用內置孔隙的 Si-C 復合材料緩解膨脹問題,可又存在另一難題,分不清電芯膨脹到底是硅顆粒本身脹大,還是電解液、SEI 膜等多重因素造成。傳統表征手段(原位膨脹測試Dilatometry)只能表征電芯厚度變化,得到的是“混合疊加信號",包含硅顆粒本征膨脹、SEI 膜生長、電解液產氣、顆?;浦嘏诺榷嘀刈兞浚邪l人員無法定位失效根源,研發效率極低。
全新解決方案:電荷光度法 + 傳統膨脹儀聯用跨尺度表征體系
近日,illumion 聯合瓦克化學(Wacker Chemie AG)推出一套完整硅負極膨脹機理研發表征方案,核心設備為基于電荷光度法的高分辨原位電池電荷成像系統-illumionONE,將微觀單顆粒原位觀測與宏觀電芯厚度測試兩種手段互補,打通從微米顆粒到完整電芯的全尺度觀測鏈路,解決傳統設備 “只能看整體、看不清微觀" 的缺陷。

圖 1 基于電荷光度法的高分辨原位電池電荷成像系統-illumionONE工作原理
1. 高分辨原位電池電荷成像系統
設備搭載光學可視扣式電池池,測試時向電極發射入射光;鋰離子嵌入 / 脫出硅顆粒會改變材料電子結構,顆粒反射、散射光強度同步變化,系統實時捕捉光學信號,同步記錄電化學曲線,直接可視化單顆粒充放電全過程的體積、形貌變化,同步匹配容量衰減等數據。
簡單來說:傳統膨脹儀只能看 “整片電極有多厚",illumionONE 相當于給每一顆硅顆粒裝了高清攝像頭,實時直播單顆顆粒脹大、收縮全過程。
2. 與傳統單一膨脹測試核心優勢對比

核心實驗結論:
電芯首周不可逆膨脹與硅顆粒本身無關
電芯膨脹測試數據顯示:微米硅單層初次嵌鋰最大增厚 9.5 μm,整體厚度提升 35%,脫鋰后仍殘留 23% 不可逆形變;Si-C 復合電極單層峰值增厚 5.5 μm,不可逆厚度占總形變 33%。兩類電芯均存在明顯殘余厚度增量,僅依靠宏觀測試無法判斷誘因。

圖2 0.1 C次化成循環軟包電芯原位膨脹測試(單層電極厚度變化):(a) 微米硅電極單層初始厚度 27.3 μm;(b) 硅碳復合電極單層初始厚度 30.3 μm;兩類電極充放電后均出現不可逆膨脹形變。
高分辨原位電池電荷成像系統-illumionONE單顆粒觀測結果給出明確答案:無論是致密微米硅,還是多孔 Si-C復合顆粒,在脫鋰后體積均可恢復至初始尺寸,硅顆粒自身的膨脹行為表現出良好的可逆性逆。
研究團隊證實:電芯不可逆膨脹全部來源于電極/芯層級副反應,主要為 SEI膜持續生長、電極內部顆?;浦亟M、電解液分解產氣三類過程,與硅材料本征膨脹無關聯。

圖3 兩種硅基負極材料高分辨原位電池電荷成像系統-illumionONE原位測試結果。
微米硅線性膨脹、Si-C復合材料非線性膨脹,孔隙緩沖效應顯著
兩種材料在顆粒、電芯雙尺度下呈現出不同的膨脹動力學規律:
微米硅:顆粒體積、電芯厚度隨嵌鋰深度同步線性增長,致密無孔結構無緩沖空間,顆粒形變直接傳遞至電極;
Si-C復合材料:顆粒、電芯均呈現非線性膨脹曲線。嵌鋰前期碳基體內部孔隙容納硅體積變化,膨脹速率平緩;隨著內部孔隙逐漸被占據,外部膨脹速率急劇上升,放電階段反向變化。該特性為Si-C材料固有屬性,不受電極涂布工藝干擾。

圖4 0.5 C倍率下單顆粒體積變化與電壓同步曲線:紫色曲線為顆粒體積變化率 ΔVolume (%),黑色曲線為電池電壓;微米硅呈線性膨脹,Si-C存在明顯增速拐點。
同時測試發現尺度膨脹幅度差異巨大:0.5 C工況下Si-C單顆粒整體膨脹 75%,單層電極僅增厚12%。電極孔隙大幅緩沖顆粒形變,僅依靠電芯厚度測試會嚴重低估硅真實膨脹水平,單顆粒表征是客觀評價硅材料性能的必要手段。
膨脹曲線拐點成為Si-C復合材料定量設計標尺
Si-C膨脹曲線的增速突變拐點具備較高工程落地價值:拐點對應碳基體內部孔隙可容納硅膨脹的極限負載量。研發人員可依托該拐點數值,定量調控復合材料孔隙率、孔徑分布、硅摻雜比例,精準設定無額外外部膨脹的硅負載上限,從材料設計源頭降低電芯循環膨脹失效風險。
行業價值與應用展望
單一表征手段存在明顯觀測盲區:電芯膨脹測試僅能反映電池宏觀整體變化,高分辨原位電池電荷成像系統-illumionONE可觀測單顆粒微觀行為,二者聯用可完整拆分膨脹現象的物理來源,有效區分材料固有特性與電極副反應干擾。
這套跨尺度雙表征方案落地后,可為鋰電行業帶來三大核心價值:
精準溯源電芯不可逆膨脹誘因,區分材料缺陷與電解液、電極工藝帶來的副反應;
量化Si-C材料內部孔隙緩沖極限,定向優化孔隙結構與硅添加比例;
實現不同倍率下硅膨脹動力學量化觀測,匹配長循環電池開發策略。
參考文獻:
[1]. Pujari, A., et al. (2026), Unveiling the anomalous expansion of silicon-carbon composites obtained by chemical vapor infiltration through operando charge photometry and dilatometry, J. Electrochem. Soc., 173: 090508
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