1100~1700nm,有效感光區(qū)域直徑80-500μm，InGaAs雪崩光電二極管

LASER COMPONENTS推出的InGaAs近紅外雪崩光電探測器可探測1100納米至1700納米光譜范圍。與鍺APD相比，近紅外雪崩光電二極管具有顯著更優(yōu)的噪聲特性。相對于其有效面積，它們能提供更高的帶寬，并且得益于其高達1700納米的增強靈敏度而具有優(yōu)勢。

LC銦鎵砷APD探測器具備IAG與IAL兩種型號，IAG系列近紅外雪崩光電探測器具有低噪聲特性。IAG系列近紅外雪崩光電探測器可在放大因子M=30下工作，傳統(tǒng)APD在放大倍數(shù)約為M=10時，噪聲就已非常強，以至于幾乎無法實現(xiàn)有效的信號探測。特別是在環(huán)境光較弱的應用中，這些銦鎵砷APD探測器可以在高放大倍數(shù)下運行，并顯著提高其靈敏度。對于三維掃描儀和測距儀而言，可以實現(xiàn)相當大的測量范圍。IAG系列雪崩光電二極管是市面上可獲得的尺寸大的LC近紅外雪崩光電二極管，在1000至1630納米波長范圍內(nèi)具有高響應度和極快的上升/下降時間。其在1550納米處的峰值響應度非常適用于人眼安全測距應用、自由空間光通信、OTDR（光時域反射儀）以及高分辨率光學相干斷層掃描。InGaAs近紅外探測器芯片采用改良的TO-46封裝進行氣密封裝。亦可提供表貼（SMD）和帶尾纖的版本。IAG系列銦鎵砷APD探測器提供有效區(qū)域直徑分別為80μm、200μm或350μm的產(chǎn)品。而除了IAG以外在許多測距應用中，M=20的增益足夠。在這些情況下，IAL系列的LC近紅外雪崩光電二極管為IAG系列的探測器提供了一個高性價比的替代選擇。它們設計用于800納米至1700納米之間的波長，并在幾乎整個波長范圍內(nèi)實現(xiàn)70%的量子效率。Laser Components雪崩光電二極管 近紅外

1100~1700nm InGaAs雪崩光電二極管系列特點：

-IAG具備80、200或350μm有效感光區(qū)域，IAL具備woo或500μm有效感光區(qū)域

-InGaAs近紅外探測器高達2.5GHz的帶寬

-在1000至1600納米范圍內(nèi)量子效率（QE）超過70%

-低暗電流和低噪聲

-改良型TO-46封裝或陶瓷基座

-可提供光纖耦合版本

1100~1700nm InGaAs雪崩光電二極管系列應用：

-測距

-光通信系統(tǒng)

-光學相干斷層掃描

-弱光檢測

1100~1700nm銦鎵砷APDs的IAG規(guī)格參數(shù)：

InGaAs近紅外雪崩光電二極管通用特性（環(huán)境溫度T=21°C）

InGaAs近紅外雪崩光電二極管絕對最大額度值：IAG080X/IAG200X/IAG350X

InGaAs近紅外雪崩光電二極管電氣特性（殼溫Tc=25°C,波長λ=1550nm）

~1700nm銦鎵砷APDs的IAL規(guī)格參數(shù)：

近紅外InGaAs雪崩探測器通用特性（環(huán)境溫度T=21°C）

近紅外InGaAs雪崩探測器絕對最大額度值：IAG080X/IAG200X/IAG350X

近紅外InGaAs雪崩探測器電氣特性（殼溫Tc=25°C,波長λ=1550nm）

1100~1700nm InGaAs APDs的IAG性能測試圖表：

1100~1700nm InGaAs APDs的IAL性能測試圖表：

1100~1700nm InGaAs雪崩光電二極管的IAG封裝圖紙：

1100~1700nm InGaAs APDs的IAL封裝圖紙

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