1. 發光區間

   依靠量子限域效應，調控 ZnSe 核尺寸：

   紫光～藍光發射：390 ~ 440 nm（無鎘藍光量子點主力體系）
   
2. 熒光量子產率 PLQY

• 裸 ZnSe 核：通常＜20%，大量表面缺陷造成非輻射復合

• ZnS 殼包覆（1~3 個單分子層 ML ）：PLQY 60%~85%；殼太厚會增大界面應力、引發合金化，性能回落

3. 峰寬 FWHM

   高質量熱注入樣品：16–25 nm，色純度優良

4. 斯托克斯位移 & 熒光壽命

   斯托克斯位移較小；熒光壽命一般10–30 ns，雙指數衰減（激子發光 + 少量表面缺陷態）

5. 殼生長光譜變化

   沉積 ZnS 殼時：第一激子吸收峰、PL 峰輕微紅移（激子波函數向殼層滲透）；同時熒光顯著增強。

界面問題：長時間高溫殼生長容易出現ZnSe?S???合金過渡層，可調控但過度合金化會展寬發光峰。

三、主流合成路線（油相高溫合成）

高溫熱注入法（Hot-injection）

1. 制備 ZnSe 核：Zn 前驅體（油酸鋅）、Se 前驅體（TOP-Se）高溫成核生長；提純

2. SILAR 逐層離子吸附法生長 ZnS 殼

   低溫緩慢交替注入 Zn 源（油酸鋅）、S 源（正辛硫醇 / TOP-S），避免新晶核生成；

3. 乙醇 / 丙酮沉降提純，重溶于氯仿 / 甲苯得到油溶性 ZnSe/ZnS。

四、優勢 & 短板（對比 CdSe/ZnS、InP 量子點）

 優勢

1. 無鎘 Cd-free，符合 RoHS、REACH 環保規范；生物毒性遠低于鎘系量子點

2. 天然適合藍光 / 紫光：彌補 InP 量子點藍光效率偏低的短板，是 QLED 無鎘藍光熱門材料

3. 相比裸 ZnSe：ZnS 殼隔絕氧氣、水，抗光漂白、光穩定性大幅提升

4. 吸收延伸至紫外區，適合紫外光敏、三重態敏化應用

 短板

1. 發光僅限藍紫光，無法覆蓋綠、紅波段；應用光譜受限

2. 相比 CdSe 藍光量子點：最高 PLQY 仍存在差距，器件穩定性有待進一步優化

3. 合成窗口窄，高質量窄分布樣品合成難度高于 Cd 系

4. 空穴注入勢壘較高，藍光 QLED 器件電荷平衡較難調控

五、典型應用（油溶性體系優先場景）

1. 藍光無鎘 QLED 發光二極管（目前最核心方向）

2. 光增益、激光、微腔發光材料（有機溶劑旋涂制備發光膜）

3. 有機相三重態 - 三重態湮滅上轉換（TTA-UC）光敏劑

4. 紫外 - 藍區熒光標記（非水相體系；如需細胞成像必須配體交換轉為水溶性）

5. 光電探測、量子點光敏體系、非線性光學研究