與當前市場上成熟且廣泛應用的硅基半導體不同，化合物半導體是由三五族 (Group III and V)、二六族 (Group II and VI) 或同樣來源于第四族 (Group IV) 的兩個及以上元素組成的化合物。典型的化合物半導體包括ZnSe (II-VI)、GaAs (III-V)、GaN (III-V)、InP (III-V)、SiC (IV-IV) 和SiGe (IV-IV)。這些化合物半導體在電子學和光電子學等領域具有廣泛的應用，并且由于其特殊的能帶結構和物理性質，它們在某些方面表現(xiàn)出優(yōu)于硅的特點。因此，化合物半導體在高頻電子器件、光電子器件和高溫高功率電子器件等領域中具有重要的地位和應用前景。

化合物半導體市場的迅速增長主要歸因于GaAs、InP、SiC 和GaN 等化合物半導體在LED、光電器件、射頻器件和功率器件等在通訊、照明、新能源汽車和電力供應等方面的廣泛應用。GaAs 和InP 是第二代半導體材料的代表，而SiC 和GaN 是第三代半導體材料的代表，它們具備出色的高頻性能和高溫性能，因此備受關注。

基于行業(yè)前瞻維度，第三代化合物半導體以其優(yōu)良的電性能、熱性能和化學穩(wěn)定性，受到了功率半導體領域在高溫、高壓、高頻、大功率、耐輻照等應用方面的關注。隨著第三代化合物半導體材料生長技術和器件制造技術的提高，特別是新能源汽車、5G 通訊、軌道交通和特高壓輸電等方面需求的增長，第三代化合物半導體功率器件正處于快速發(fā)展階段。然而，受限于第三代化合物半導體材料和器件工藝水平，進一步的大規(guī)模應用仍存在眾多難點，特別是在高質量材料可控生長和高性能、高可靠性器件制造及降低成本方面。例如，與硅基半導體技術相比，第三代化合物半導體的晶圓質量仍存在很大的改進空間。特別是，晶圓的缺陷尚待進一步減少，材料的均勻性和重復性也未達到大規(guī)模量產的期望值。