雙腔室高真空等離子體ALD設備在腔室清洗中等離子體的使用

閱讀：58 發布時間：2026-7-18

　　高真空原子層沉積設備長期運行后，腔室內壁、工裝夾具會沉積非目標薄膜副產物與殘留前驅體分解物，造成腔體污染，干擾后續薄膜沉積的均勻性與純度。雙腔室等離子體ALD設備利用分立腔室架構，結合定向等離子體技術，實現高效無殘留腔室清洗，保障工藝穩定性。

　　雙腔室架構為等離子體清洗提供工況隔離基礎。雙腔室等離子體ALD設備區分工藝沉積腔與專用清洗腔，兩個腔室共享真空機組與氣路系統，但工況物理隔離。沉積作業在主工藝腔完成，污染累積后的腔體轉移至清洗工位，在專用腔室中開展等離子體清洗，避免清洗過程中的腐蝕、刻蝕產物污染待加工基材，實現生產與清洗流程的并行無干擾運行。

　　等離子體清洗的作用機理基于活性粒子的化學刻蝕與物理轟擊。設備通入專用工藝氣體，在高頻電場下激發形成等離子體，產生高能自由基、離子與電子。化學活性自由基與腔壁有機、無機沉積物發生氣相反應，生成揮發性小分子產物，通過真空機組排出腔體；高能離子的輕度物理轟擊，剝離附著力較強的硬質沉積物，雙重作用實現全域清洗。

　　分區等離子體調控提升清洗精準度。雙腔室等離子體ALD設備采用分布式電極陣列，可根據腔體污染分布特征，定向調控不同區域的等離子體功率與氣體配比，針對沉積厚重區域強化刻蝕強度，規避全域高強度等離子體對腔室基材、密封件的過度腐蝕。同時采用脈沖式等離子體輸出，降低腔體熱累積，避免高溫損傷內部精密組件。

　　清洗后等離子體鈍化處理優化腔體表面狀態。清洗完成后，通入鈍化氣體激發弱等離子體，重構腔室內壁的表面官能團，消除清洗殘留的活性位點，減少后續沉積工藝中前驅體的非特異性吸附。雙腔室結合等離子體清洗技術，實現設備長效穩定運行，減少拆機人工清洗頻次，提升薄膜制備的連續性與良品率。

雙腔室高真空等離子體ALD設備在腔室清洗中等離子體的使用

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