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USHIO高壓汞燈系列在工業(yè)固化中的技術(shù)選型
USHIO高壓汞燈系列在工業(yè)固化中的技術(shù)選型USHIO高壓汞燈產(chǎn)品線為工業(yè)固化領(lǐng)域提供了豐富的光源選擇方案。其中,USH-350DS型號(hào)紫外線高壓汞燈輻照度為170mW/cm2,輸送速度范圍為0.15~7.6m/min,有效照射寬度可達(dá)510mm。該產(chǎn)品適用于非加熱滅菌實(shí)驗(yàn)、紫外線照射滅菌等多功能應(yīng)用場(chǎng)景。在光化學(xué)反應(yīng)工廠和實(shí)驗(yàn)室應(yīng)用中,USHIO提供涵蓋不同功率等級(jí)和光譜特性的高壓汞燈產(chǎn)品線,包括100W、450W等規(guī)格,可滿足從小批量實(shí)驗(yàn)到大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)的各類需求。以UM-452型號(hào)為例, -
大塚電子粒度儀在生物醫(yī)藥行業(yè)的應(yīng)用案例
大塚電子粒度儀在生物醫(yī)藥行業(yè)的應(yīng)用案例生物醫(yī)藥行業(yè)對(duì)納米顆粒表征有著極為嚴(yán)苛的要求。從蛋白質(zhì)、脂質(zhì)體、外泌體等生物藥物的粒徑分布控制,到高鹽濃度環(huán)境下的Zeta電位分析,再到生物相容性材料的表面電荷測(cè)量,大塚電子的粒度分析設(shè)備在這些領(lǐng)域均有著深入的應(yīng)用。在蛋白質(zhì)藥物研發(fā)中,粒徑分布是評(píng)估蛋白質(zhì)聚集程度的重要指標(biāo),而Zeta電位則反映了蛋白質(zhì)分子的表面電荷狀態(tài),兩者共同決定了蛋白質(zhì)溶液的穩(wěn)定性。大塚電子的ELSZ系列可在高鹽濃度環(huán)境下精確測(cè)量Zeta電位,其高鹽適應(yīng)性涂層樣品池可應(yīng)對(duì)生理鹽水等復(fù)雜 -
nanoSAQLA——高通量納米粒徑分析的高效解決方案對(duì)于需要進(jìn)行大量樣品檢測(cè)的質(zhì)檢部門,大塚電子的nanoSAQLA多樣品納米粒徑測(cè)量系統(tǒng)提供了高效便捷的解決方案。nanoSAQLA基于動(dòng)態(tài)光散射法,粒徑測(cè)量范圍為0.6nm至10μm,濃度范圍覆蓋0.00001%~40%,適用于從稀薄到濃厚的各類溶液體系。該設(shè)備的最大亮點(diǎn)在于其高通量的自動(dòng)測(cè)量能力:標(biāo)準(zhǔn)配置即可實(shí)現(xiàn)5個(gè)樣品的連續(xù)測(cè)量,每樣品測(cè)量時(shí)間約1分鐘,配備AS50自動(dòng)進(jìn)樣器后更可一次放置50個(gè)樣品進(jìn)行全自動(dòng)測(cè)量。nanoSAQLA采用了
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Zeta電位測(cè)量原理及大塚電子ELSZ系列的技術(shù)創(chuàng)新
Zeta電位測(cè)量原理及大塚電子ELSZ系列的技術(shù)創(chuàng)新Zeta電位是表征顆粒表面電化學(xué)性質(zhì)的關(guān)鍵指標(biāo),直接影響分散體系的聚集行為、吸附性能及與基底的相互作用。大塚電子的Zeta電位測(cè)量基于電泳光散射技術(shù)(ElectrophoreticLightScattering,ELS),也稱為激光多普勒法。在施加電場(chǎng)的作用下,帶電顆粒向相反電極方向遷移,產(chǎn)生電泳運(yùn)動(dòng)。當(dāng)激光照射遷移中的顆粒時(shí),散射光產(chǎn)生與電泳速度成正比的頻率偏移(多普勒頻移),通過(guò)檢測(cè)這一頻移可精確計(jì)算電泳遷移率,并依據(jù)Henry方程轉(zhuǎn)換為Z -
動(dòng)態(tài)光散射技術(shù)詳解——大塚電子納米粒度儀的測(cè)量原理
動(dòng)態(tài)光散射技術(shù)詳解——大塚電子納米粒度儀的測(cè)量原理粒徑分析是納米材料表征中最為基礎(chǔ)也是最為關(guān)鍵的環(huán)節(jié)。大塚電子的納米粒度儀采用動(dòng)態(tài)光散射法(DynamicLightScattering,DLS),又稱光子相關(guān)光譜法,通過(guò)分析溶液中顆粒的布朗運(yùn)動(dòng)來(lái)測(cè)定粒徑分布。動(dòng)態(tài)光散射的基本原理是:當(dāng)激光束照射分散在液體中的顆粒時(shí),顆粒因布朗運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生隨機(jī)位移,導(dǎo)致散射光強(qiáng)度隨時(shí)間波動(dòng)。小顆粒運(yùn)動(dòng)速度快,散射光波動(dòng)頻率高;而大顆粒運(yùn)動(dòng)緩慢,波動(dòng)頻率低。系統(tǒng)通過(guò)光子相關(guān)器計(jì)算散射光強(qiáng)度的時(shí)間自相關(guān)函數(shù),進(jìn)而求得顆粒 -
大塚電子——用光學(xué)技術(shù)重新定義粒徑分析與表面電位測(cè)量
大塚電子——用光學(xué)技術(shù)重新定義粒徑分析與表面電位測(cè)量在膠體科學(xué)、材料研發(fā)與制藥工程等領(lǐng)域,顆粒的粒徑分布與表面電荷特性是決定體系穩(wěn)定性的核心參數(shù)。日本大塚電子株式會(huì)社(OtsukaElectronics)自1970年成立以來(lái),始終以“用光學(xué)技術(shù)解決世界問(wèn)題”為使命,深耕光學(xué)測(cè)量與分析技術(shù)領(lǐng)域,形成了獨(dú)特的技術(shù)體系。作為大塚集團(tuán)旗下的重要科技企業(yè),大塚電子將其核心技術(shù)應(yīng)用于粒徑分析、Zeta電位測(cè)量和膜厚檢測(cè)等領(lǐng)域,為全球醫(yī)療健康、生命科學(xué)、新材料和半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)提供了多種創(chuàng)新方案。大塚電子(蘇州)有 -
半導(dǎo)體與電子制造中的超低氧測(cè)量解決方案半導(dǎo)體芯片和電子元器件的制造過(guò)程對(duì)生產(chǎn)環(huán)境的潔凈度和微量雜質(zhì)含量有著極其嚴(yán)苛的要求。金屬互連層的氧化會(huì)顯著影響芯片性能和成品率,因此對(duì)生產(chǎn)設(shè)備腔體和工藝氣體中的微量氧含量必須實(shí)施精密監(jiān)控。第一熱研TB系列氧化鋯氧氣濃度分析儀為半導(dǎo)體行業(yè)提供了優(yōu)異的超低氧測(cè)量解決方案。TB-ⅡV/TB-ⅡVN真空/密閉氣氛專用型可在真空氣氛下測(cè)量1×10??Torr量級(jí)的氧分壓,傳感器直接插入腔體無(wú)需取樣管路,最大限度地避免了因管路吸附和泄漏造成的測(cè)量誤差。TB-SI系列可攜
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全量程覆蓋——從ppm級(jí)微量氧到100%高濃度氧 DAIICHI NEKKEN第一熱研
全量程覆蓋——從ppm級(jí)微量氧到100%高濃度氧DAIICHINEKKEN第一熱研DAIICHINEKKEN第一熱研氧分析儀產(chǎn)品線的一大核心優(yōu)勢(shì)在于其從ppm級(jí)微量氧到100%高濃度氧的全量程覆蓋能力,能夠滿足從超純氣體純度檢測(cè)到富氧環(huán)境監(jiān)控的多樣化需求。在微量氧檢測(cè)方面,TB-ⅡF-P傳感器與C-28C控制器組合可測(cè)量低至0.1ppm的氧濃度,與C-48C組合更可擴(kuò)展至1×10?3?atm的超低氧分壓測(cè)量范圍。ECOAZC-58系列分析儀的測(cè)量范圍為0~1000ppm,并可擴(kuò)展至百分比級(jí),配備

