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產品介紹
日本COPERNICS 用于功率半導體的熱阻計
日本COPERNICS 用于功率半導體的熱阻計
瞬態熱阻儀是一種用于測量IGBT、MOS-FET、二極管、BJT和其他類似器件的瞬態熱阻的設備。
雙極型晶體管瞬態熱阻測量儀在集電極和發射極之間施加特定功率，使芯片溫度升高，然后測量溫度升高前后由于微小電流 (Im) 引起的基極-發射極電壓差 (ΔVBE)。這可以用于估算樣品的導熱系數。
IGBT瞬態熱阻表與BJT瞬態熱阻表一樣，是測量柵極和發射極之間電壓差（ΔVGE）的儀器。
P-MOS FET 瞬態熱阻計，就像 BJT 瞬態熱阻計一樣，是一種測量柵極和源極之間電壓差 (ΔVGS) 的測量儀器。
二極管的ΔVF 可以通過 BJT 瞬態熱阻表在基極和發射極之間進行測量。
◇主要規格
| 施加電壓 | 2-30/100/600/1200V |
| 當前的 | 0.1-30/100/200/500/1000A |
| 電源應用寬度 | 100、200、500μS； 1、2、5、10、20、50、100、200、500mS； 1S、2S、30S、直流 |
| 測量電流（Im） | 1-99/199/999毫安 |
| 測量范圍 | ΔVBE：~999/1999mV（VBE 最大值：3V） ΔVGS/VGE：~999/1999/9990mV（VGS/VGE 最大值：20V） |
| 采樣點 | Td 50–990 μS |
熱阻表存在功率限制，其測量范圍受電壓、電流和應用時間的限制。此外，設備的尺寸和重量會根據其規格的不同而有顯著差異。以上規格僅供參考；設計和制造需要詳細咨詢。請聯系我們了解更多信息。
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