無掩膜光刻機是無需物理掩模版，通過數字生成圖案直接在光刻膠上完成曝光的微納加工設備，核心優勢是省去制版環節，大幅降低研發成本、縮短迭代周期，適配多場景靈活加工需求。
傳統光刻工藝需要制作實體掩模版，流程長、打樣成本高、圖形修改靈活性差，難以適配 MEMS、微流控、光子芯片、PCB 打樣、半導體研發小批量試制等場景。無掩膜光刻機依托數字直寫曝光技術，省去掩膜制版環節，直接將計算機設計圖形投射至涂膠基片完成光刻，是微納制造領域快速原型開發的核心設備。
工藝流程
前處理：基片完成清洗、旋涂光刻膠、前烘后，真空吸附固定于運動平臺；
圖形導入：軟件導入設計版圖，設置曝光劑量、對焦高度、拼接步距；
光路預校準：光源開啟預熱，CCD 自動識別樣品對位標記，完成平面調平；
數字圖形調制：光束經勻光后入射 DMD，微鏡陣列按版圖同步偏轉，生成動態光學圖形；
拼接曝光：運動平臺按預設軌跡步進移動，投影物鏡將圖形逐區域投射至光刻膠表面，完成整片基片曝光；
后流程：曝光完成后卸片，進行顯影、刻蝕、剝離等后續微加工。
技術核心優勢
數字化直寫，無需掩膜，研發打樣周期縮短 70% 以上；
支持灰度曝光，可制備漸變深度三維微結構；
圖形修改僅需軟件調整，多批次小批量定制加工成本低；
微米級分辨率，兼顧科研實驗室與中小批量產線使用。
軟件與數據備份
曝光完成后保存曝光參數、對位補償文件，定期備份工程版圖，防止軟件丟失參數導致拼接誤差。
每周周期性養護(設備管理員執行)
散熱系統清理
拆卸激光器、電控箱、FFU 風機濾網，高壓氮氣吹掃積塵；水冷機型檢查冰水機水位、管路有無滲漏，每周監測循環水電導率，維持≤0.1μS/cm，防止管路結垢影響光源散熱。
運動平臺基礎檢查
空載運行 X/Y/Z 全行程，觀察導軌運行有無卡頓、異響；檢查光柵讀數頭表面無灰塵，線纜無擠壓磨損；清理平臺底部沉積粉塵。
光學窗口簡易清潔
專用擦鏡紙 + 微量異丙醇，單方向擦拭設備外部光學保護窗，禁止直接觸碰物鏡鏡片；擦拭后氮氣吹干，避免水漬殘留形成光斑缺陷。
安全系統校驗
測試急停開關、艙門安全聯鎖、紫外防護遮光裝置，故障及時更換配件。
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