無掩膜光刻機 參考價：面議
CG-MLC6系列直寫光刻機是一款精巧型光刻產品。該設備采用數字光刻技術，無需掩模 版，能夠直接將版圖信息轉移到涂有光刻膠的襯底上。CG-MLC6系列功能靈活、...
HMDS增粘勻膠機 參考價：1
HMDS增粘勻膠機應用于在勻膠前的硅片等基片表面均勻涂布一層HMDS（六甲基二硅氮烷）。作用：降低HMDS處理后的硅片接觸角，進而降低勻膠時光刻膠在硅片表面鋪展...
光學反射膜厚儀 參考價：面議
本設備利用反射干涉的原理進行無損測量，測量吸收或者透明襯底上薄膜的厚度以及折射率，同時提供樣品反射率，測量精度達到埃級的分辨率，測量迅速，操作簡單，界面友好，測...
桌上型自動刻蝕機 參考價：面議
桌上型自動刻蝕機MSD-200F主要應用于曝光后的顯影后的刻蝕工藝。該設備主要由PVC腔單元、自動擺臂單元、 以及供液系統、主軸系統、控制系統及排液系統等組成，...
掩膜板涂膠機 參考價：面議
掩膜板涂膠機設備簡介：桌上型旋轉涂布機，用于對均勻性要求較高的表面涂布工藝，將光刻膠溶液手動涂覆在硅片、磷化銦、碳化硅、氮化鎵、鈮酸鋰等基片上形成薄膜，主要應用...
實驗室無掩膜曝光機 參考價：面議
實驗室無掩膜曝光機CG-MLC6系列直寫光刻機是一款精巧型光刻產品。該設備采用數字光刻技術，無需掩模 版，能夠直接將版圖信息轉移到涂有光刻膠的襯底上。CG-ML...
等離子清洗去膠機 參考價：面議
真空等離子清洗機(Plasma cleaner),氣體通過激勵電源離化成等離子態，等離子體作用于產品 表面，清洗產品表面污染物，提高表面活性，增強附著性能。等離...
針筒式自動旋轉涂布機 參考價：面議
針筒式旋轉涂布機MSC-200T-D桌上型半自動旋轉涂布機用于對均勻性和一致性要求較高的表面涂布工藝，將光刻膠溶液自動涂覆在硅片、磷化銦、碳化硅、氮化鎵、鈮酸鋰...
全柜式涂膠顯影機 參考價：面議
全柜式涂膠顯影機該設備用于 8 寸晶圓的涂膠、顯影、烘烤工藝；設備包括主要的工藝模塊：涂膠模塊 COT,顯影模塊 DEV、熱 盤 HP 等（各腔體間有擋板隔開）...
程控烤膠機 參考價：面議
程控烤膠機HPP-8是針對半導體工藝生產中晶圓烘烤而設計的一款產品.采用新穎的數字式加觸摸屏面板，精準的控制熱板表面溫度；堅固耐腐蝕的鋁合金面板，表面陽極氧化處...
鈣鈦礦電池烤膠機 參考價：面議
烤膠機產品特點：熱均勻性：采用單片機和集成電路板設計， 同時采用密集加熱 管澆灌一體成型，均勻性更高。體積：外觀小巧精致，以及超大按鍵更適宜手套箱內操作使用耐腐...
紫外臭氧清洗機 參考價：面議
UV紫外臭氧清洗機擁有工業級別的清洗效率和效果，采用更簡易操作的抽屜式托盤設計，廣 泛應用于光伏（鈣鈦礦電池），半導體芯片（晶圓）和光學元件及光通訊領域，適用于...
桌上型手動旋轉涂布機 參考價：面議
勻膠機設備簡介：桌上型旋轉涂布機，用于對均勻性要求較高的表面涂布工藝，將光刻膠溶液手動涂覆在硅片、磷化銦、碳化硅、氮化鎵、鈮酸鋰等基片上形成薄膜，主要應用于12...
自動滴膠勻膠機 參考價：面議
自動滴膠勻膠機，MSC-200T-D桌上型半自動旋轉涂布機用于對均勻性和一致性要求較高的表面涂布工藝，將光刻膠溶液自動涂覆在硅片、磷化銦、碳化硅、氮化鎵、鈮酸鋰...
桌上型自動顯影機 參考價：面議
桌上型自動顯影機MSD-200D主要應用于曝光后的顯影工藝。該設備主要由顯影腔單元、自動擺臂單元、以及供液系統、主軸系統、控制系統及排液系統等組成，整機采用框架...
全柜式涂膠顯影一體機 參考價：面議
概述： SHD8-SE涂膠顯影系統一體機主要由勻膠單元、烤膠單元、顯影單元等部分組成，該設備針對高校研究所實驗室，特點是占地面積小，性價價比更高。整機采用框架結...
超聲霧化噴膠機 參考價：1
噴膠機是一種把光刻膠先霧化成微小液滴，再用氣流/噴頭運動把“霧"均勻送到晶圓或者玻璃表面，最后通過流平 + 溶劑揮發/熱固化形成連續薄膜的設備。適應性強、材料利...
光阻成像儀 參考價：面議
光阻成像儀/桌上型自動顯影機MSD-200D主要應用于曝光后的顯影工藝。該設備主要由顯影腔單元、自動擺臂單元、以及供液系統、主軸系統、控制系統及排液系統等組成，...
桌上型旋轉涂布機 參考價：面議
桌上型旋轉涂布機應用：在高速旋轉的基片上，滴注各類膠液，利用離心力使滴在基片上的膠液均勻地涂覆在基片上，厚度視不同膠液和基片間的粘滯系數而不同，也和旋轉速度及時...
鈣鈦礦旋涂儀 參考價：面議
鈣鈦礦旋涂儀應用：在高速旋轉的基片上，滴注各類膠液，利用離心力使滴在基片上的膠液均勻地涂覆在基片上，厚度視不同膠液和基片間的粘滯系數而不同，也和旋轉速度及時間有...
桌上型旋轉涂布機 參考價：面議
設備簡介：桌上型旋轉涂布機，用于對均勻性要求較高的表面涂布工藝，將光刻膠溶液手動涂覆在硅片、磷化銦、碳化硅、氮化鎵、鈮酸鋰等基片上形成薄膜，主要應用于12寸以內...
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