陰極(待鍍工件,如晶圓):接電源負極,金屬離子(如 Cu2?、Au?)得電子還原,沉積為金屬原子形成鍍層,反應式:Cu2? + 2e? → Cu。
陽極(高純金屬 / 惰性電極):接電源正極,金屬失電子氧化(可溶性陽極)或 OH?放電(惰性陽極),補充鍍液金屬離子,反應式:Cu - 2e? → Cu2?。
電鍍液:含鍍層金屬離子、導電鹽、緩沖劑與添加劑,維持離子濃度、導電性與鍍層性能。
采用上下雙陽極(磷銅 / 鉑鈦網)+ 中心陰極(晶圓) 對稱布局,形成垂直均勻電場,晶圓正反面同步上電沉積,一次完成雙面鍍層,適配 TSV 填孔、UBM 凸點等半導體工藝。
晶圓邊緣劃片區夾持,全表面裸露浸液,避免夾具遮擋,確保鍍層全覆蓋。
中心槳式攪拌:伺服驅動槳葉環繞晶圓往復攪動,打破陰極表面離子耗盡層。
晶圓低速回轉(0~80rpm):水平旋轉帶動鍍液切向流動,結合槽底溢流循環,形成 “攪拌 + 旋轉 + 過濾" 三重對流,維持鍍液成分穩定,顆粒污染最小化。
電源精度:A-57 系列電源達1mV 電壓、10μA 電流分辨率,精準控制電流密度,適配 7nm~28nm 半導體節點電鍍。
溫控系統:PID 溫控(±0.1℃),室溫~95℃寬域調節,匹配鍍金、鍍鎳、鍍銅等多工藝溫度需求。
雙陰極 + 中置陽極結構,陽極居中時兩側鍍層重量一致,偏移后量化鍍液分散能力,精準評估均鍍與覆蓋能力,適配復雜工件深孔、凹槽電鍍驗證。

裝夾定位:晶圓放入陰極盒,邊緣夾持固定,正反面裸露,確保導電良好。
鍍液循環:注入專用鍍液,啟動過濾與溢流系統,維持液位與成分穩定。
參數設定:設置電流密度、溫度、攪拌轉速與電鍍時間,啟動電源。
電沉積過程:電場驅動金屬離子遷移至陰極表面還原沉積,雙重對流消除濃度極化,保障鍍層均勻生長。
后處理:完成后取出晶圓,清洗、烘干,檢測鍍層厚度與均勻性。
均勻性:對稱電場 + 雙重對流,鍍層厚度誤差≤±2%,適配半導體 制程。
高效節能:雙面同步電鍍,效率提升 50%,精密電源降低能耗。
穩定性強:全流程參數閉環控制,鍍液成分穩定,批次一致性高。
適配性廣:2~12 英寸晶圓兼容,覆蓋 TSV、凸點、RDL 等多場景。
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