1.本多功能材料設計：

利用仲班酸（PA）同時作為添加劑和鈍化層

2.結晶調控創新：

1)PA中的多樣化官能團與鈣鈦礦前驅體配位

2)顯著增強光學活性相的結晶

3)促進形成更集中的面外取向鈣鈦礦

4)DFT計算顯示PA分子與(100)鈣鈦礦取向的優先結合

3.集成鈍化創新：

1)實現體相和界面缺陷的集成鈍化

2)無銨離子設計，避免2D/3D結構形成和離子擴散問題

3)通過-C=O與Pb²⁺配位、-NH與I^-形成氫鍵實現高效鈍化

4.性能突破：

1）功率轉換率達到26.03%（認證25.51%）

2）1cm²大面積器件功率轉換率達24.89%

3）在ISOS-L-1I標準下連續運行2000小時保持96.3%初始效率

原子力顯微鏡（Dimension Icon，Bruker）測試為鈣鈦礦薄膜的粗糙度、表面電勢以及導電性分別進行了評價。結果顯示，多功能有機材料——仲班酸（PA）體相摻雜對降低PVK薄膜粗糙度具有積極作用，而PA 表面修飾層對PVK薄膜粗糙度影響不大。這一結果表明PA作為添加劑融入鈣鈦礦前驅體溶液后，通過調控結晶動力學（如文中GIWAXS所證實的 slower crystallization rate），促進了晶粒長大和晶界減少，從而形成了更平整的薄膜表面。而表面旋涂PA僅作為超薄鈍化層，不會改變已形成的鈣鈦礦薄膜的宏觀形貌特征。利用開爾文探針力顯微鏡（KPFM）測量表面電勢的結果（圖c）顯示，PA處理后地鈣鈦礦（PVK）薄膜表面電勢RMS粗糙度從11.5 mV降至約9.7 mV，降低了約16%。這表明PA處理后薄膜表面的電勢分布更加均勻，這將有助于空穴的均勻提取。這歸因于（100） 晶面PVK結晶度的提高。另外對于兩種薄膜導電性結果表明：PVK-PA（體相）和PVK-PA（體相+表面）薄膜都表現出增強的導電性，這歸因于（100）鈣鈦礦相結晶度的增加。圖d更是表明對照PVK薄膜中觀察到的明顯漏電流位點在PVK-PA（體相）和PVK-PA（體相+表面）薄膜中得到了顯著抑制，這主要歸因于PA對鈣鈦礦結晶的有效調控。因此，漏電流的降低使得了PSC-PA器件（體相+表面）的暗電流相應減小。

三種技術協同來看，AFM顯示的粗糙度降低與KPFM顯示的電勢均勻性改善相互印證，表明更平整的表面對應更均勻的電學性質；KPFM顯示的電勢均勻性與CAFM顯示的高電導率一致，說明PA處理后的薄膜具有更均勻的載流子傳輸通道。三種AFM技術從納米尺度揭示的改善（粗糙度↓、電勢均勻性↑、電導率↑）共同解釋了宏觀器件性能的提升（功率轉換效率從23.8%→26.03%）。