自研溝槽 MOS 肖特基結構，同步優化低 VF 正向壓降 + 超低 IR 反向漏電流，打破行業固有權衡矛盾

YQ 系列溝槽 SBD 反向恢復時間 trr 低至 15ns，開關損耗較競品降低 37%，整機功耗下降 26%

SiC 肖特基采用多數載流子導電，零少子存儲效應，幾乎無反向恢復拖尾，高頻 PFC 損耗大幅降低

第 5 代平面肖特基正向壓降比通用 FRD 低 11%，低壓整流效率提升 25%

RBQ 系列高溫反向損耗較傳統產品降低 60%，從根源抑制熱失控風險

SiC SBD 耐壓覆蓋 650V/750V/1200V，填補硅肖特基 200V 以上高壓空白，適配光伏、車載 OBC

第二代 SiC 肖特基勢壘工藝優化，VF 同比降低 0.15V，導通損耗進一步縮減

寬溫域 IR 穩定，125℃高溫下漏電流增幅遠低于同類競品，發動機艙高溫 ECU 穩定運行

浪涌電流耐受能力強化，短時大電流沖擊不易晶格損傷，電源輸入端抗沖擊能力更強

齊納二極管 EDZV/UDZV 系列穩壓精度 ±1%，微型貼片超低溫度漂移，基準電壓無偏移

TVS 系列極窄結電容，高速 CAN FD/USB 信號無失真，不干擾通信波形

快恢復 FRD 系列分級 trr：50ns/100ns/300ns 多檔位，適配低頻工頻至 MHz 級開關電源

雙向 TVS 雙向對稱鉗位電壓，正負浪涌同等防護，無需搭配雙二極管

大電流共陰極雙肖特基（RBQ 雙通道）集成雙芯，單封裝替代兩顆分立器件，簡化布線

SiC 二極管正向電阻正溫度系數，并聯均流性優異，多管并聯無電流失衡問題

超低寄生電感芯片布局，高頻開關電壓尖峰降低，減少 EMI 濾波器件用量

微型整流二極管反向耐壓覆蓋 10V~2000V 全區間，低壓快充至工業高壓全覆蓋

低漏電流系列（RBxx8）200V 耐壓，可直接替換傳統 FRD，同時降低整機發熱

車載 TVS ESD 耐受能力 ±30kV 接觸放電，±40kV 空氣放電，滿足嚴苛車載靜電標準

開關二極管結電容 < 0.5pF，射頻、信號切換無信號衰減

大功率整流管低導通阻抗，大電流工況溫升更低，散熱器體積可縮小 30%

肖特基高溫穩定性強，150℃持續工作無性能漂移，適配密閉無散熱設備

齊納全電壓梯度 0.8V~75V，每 0.1V 一檔細分，精準匹配各類 MCU 基準供電

整流二極管反向擊穿電壓一致性高，批量離散差＜5%，無需二次篩選

SiC 二極管開關頻率可達 MHz 級，縮小電感、電容體積，整機小型化減重

低 VF 肖特基適配低壓電池設備（3.7V 鋰電），減少電壓損耗延長續航

大功率 TVS 瞬時浪涌耐受達數 kW，車載繼電器、電機負載防浪涌防護可靠

通用整流二極管工頻整流壓降穩定，50/60Hz 適配器轉換效率提升 8%~12%

高壓 SiC 漏電流極低，高溫待機功耗幾乎可忽略，光伏逆變器空載損耗大幅下降

復合二極管（整流 + 穩壓二合一）單器件實現雙功能，減少 PCB 器件數量