肉眼不可見的微觀層面。
納米尺度領域備受推崇的平面化技術。

半導體內部采用多層布線，即使是輕微的不規則性也會影響電路的精確堆疊。因此，需要對半導體表面進行反復的平面化處理。荏原集團的CMP（化學拋光）系統正是用于完成這一平面化工藝，其市場fen額位居quan球第二。
化學機械拋光 (CMP) 設備執行一系列步驟，包括晶圓平坦化、清洗和干燥。由于布線寬度以納米 (nm) 為單位，平坦化也需要納米級的精度。具體來說，對于直徑為 30 厘米的晶圓，平坦化精度可達 10 納米以內。如果將該晶圓與山手線內的區域（平均直徑約為 10 公里）進行比較，則相當于將高度差校正到 5 毫米以內。這種高精度平坦化技術有助于實現jian端半導體器件的高集成度。
自1992年交付shou臺CMP（化學制造工藝）設備以來，精密電子公司一直與客戶緊密合作，不斷進行研發，才得以開發出這些技術。荏原集團將繼續致力于jian端半導體制造技術的研發。