1）核心型號（半導體常用）

• W600Cu：化學鍍銅 / 蝕銅專用（Cu 濃度 + pH 雙控）

• W600Ni：化學鍍鎳專用（Ni 濃度 + pH 雙控）

• W600W：濕法清洗 / 刻蝕通用（pH/ORP/ 電導率）

• W600D：稀釋 / 配比專用（流量 + 濃度閉環）

• 傳感器輸入：2 路通用插槽（pH/ORP/ 電導率 / 4–20mA 金屬濃度）

• 測量范圍：

• pH：0–14.0（±0.01）

• ORP：±2000 mV（±1 mV）

• 電導率：0–300,000 μS/cm（±1% 讀數）

• Cu/Ni：0–50 g/L（±0.1 g/L）

• 控制輸出：6 路繼電器（250VAC/5A）+ 4–20mA 模擬輸出

• 通訊：以太網（Modbus/TCP）、遠程監控、數據記錄

• 精度：pH ±0.01、電導率 ±1%、金屬濃度 ±0.1 g/L

• 材質：PPS 外殼，接液 PFA/PTFE，無金屬析出，滿足 SEMI S2/S8

• 電源：100–240VAC，50/60Hz

3）核心功能（半導體關鍵）

• 多參數閉環：同時控pH + 濃度 + 流量，比如鍍銅時自動補 CuSO?與氨水

• 6 路泵聯動：直接驅動 IX?D、CFD、PDS 系列泵，脈沖 / 模擬量無縫適配

• 低脈動給藥：配合 IX?D 實現 **±1% 精度 + 低脈動 **，保護晶圓表面

• 漏液 / 顆粒報警：集成漏液檢測、傳感器污染報警，防止批次污染

• 數據追溯：自動記錄濃度 /pH/ 流量，滿足 Fab 良率追溯要求

4）運用場景

• 濕法刻蝕（BOE/HF/ 磷酸）：濃度 + pH 閉環補酸，W600W+IX?D150T

• 晶圓清洗（RCA/SC1/SC2）：氨水 / 雙氧水配比 + 電導率監控，W600W+CFD?1T?B

• 化學鍍銅 / 鎳（TSV/RDL）：金屬濃度 + pH 雙閉環，W600Cu/Ni+IX?D150S6

• CMP 漿料：添加劑微量投加 + 濃度穩定，W600W+PDS?H115

• 光刻 / 顯影：顯影液濃度微調 + 低脈動供給，W600W+CFD?8T?B