硅片范圍：6–400 μm

樹脂 / 膠層范圍：10–1000 μm

重復精度：≤±0.01%

采樣速度：5 kHz（200 μs）

光斑直徑：φ20–27 μm

工作距離 WD：50/80/120/150/200 mm

硅片范圍：10–775 μm

樹脂 / 膠層范圍：20–1500 μm

精度 / 速度 / 光斑 / WD：同 SF-3/200

硅片范圍：20–1000 μm

樹脂 / 膠層范圍：40–2000 μm

精度 / 速度 / 光斑 / WD：同 SF-3/200

硅片范圍：50–1300 μm

樹脂 / 膠層范圍：100–2600 μm

精度 / 速度 / 光斑 / WD：同 SF-3/200

測量原理：光譜干涉 + FFT 多層解析（**算法）

層數：*多5 層同步測量

接口：LAN（TCP/IP）、I/O 觸發

尺寸：123×224×128 mm

光源：半導體激光（Class 3B）

薄晶圓 / 超薄晶圓：200mm 減薄到 50–200 μm（如功率器件、CMOS 影像傳感器）

臨時鍵合（Temporary Bonding）：超薄硅 + 樹脂膠層 + 支撐基板，測硅層 + 膠層

Backgrind 研磨終點控制：超薄片防破片，非接觸在線監控

化合物半導體：GaAs、InP 薄片（10–300 μm）

300mm 標準晶圓：原始厚度 725 μm、研磨后 500–700 μm

CMP 后厚度均勻性：氧化層 / 硅層殘留厚度映射

TSV 中段 / 后段：硅層厚度（不含通孔）、SiO? 絕緣層

鍵合晶圓（Bonded Wafer）：硅 - 硅鍵合、硅 - 玻璃鍵合，測上下硅層 + 中間膠層

厚硅晶圓：功率器件（IGBT、MOSFET）原始片 800–1000 μm

玻璃基板 / 石英：LCD、OLED、掩模版基板（500–1000 μm）

厚膠層 / 厚膜：臨時鍵合厚膠（200–2000 μm）、封裝填充層

450mm 大晶圓：下一代超厚原始片（1000–1300 μm）

TSV 深硅層：高縱深比 TSV，硅層厚度 800–1200 μm

厚支撐基板：臨時鍵合用玻璃 / 硅支撐（1000–1300 μm）

特殊封裝：SiP 厚基板、嵌入式芯片載板

型號：SF-3/200（6–400μm）、SF-3/300（10–775μm）、SF-3/1300（50–1300μm）

用途：硅 / 化合物半導體晶圓厚度、SiO?/SiN 膜、TSV 晶圓層厚、臨時鍵合晶圓各層厚度

特點：非接觸、高速（10ms 內）、多層分析、穿透保護膜測量