目錄:玉崎半導體(深圳)有限公司>>Otsuka大塚>> FE-300UV日本Otsuka大塚FE 系列臺式膜厚儀
日本Otsuka大塚FE 系列臺式膜厚儀
日本Otsuka大塚FE 系列臺式膜厚儀
FE 系列(FE-300/3700/5700/5000) —— 獨立臺式 / 離線膜厚儀(你說的 Stand-alone 膜厚測定機)
LS 線掃描系列 —— 離線 / 在線大面薄膜測厚,有時也被混稱為 TE
FE-300V:標準型(Vis 可見光)
FE-300UV:紫外增強型
FE-300NIR:近紅外厚膜型
測量原理:反射分光干涉 + **反射率分析
膜厚范圍:
FE-300UV:1 nm ~ 30 μm
FE-300V:3 nm ~ 50 μm
FE-300NIR:16 nm ~ 300 μm
波長:
UV:230–800 nm
VIS:360–1100 nm
NIR:900–1600 nm
單點測量時間:≤1 s
光斑:φ20 μm
可解析層數:*多 10 層
尺寸:臺式小型機,約 350×450×200 mm
200 mm 晶圓量產抽檢:SiO?、SiN、光刻膠(PR)、多晶硅厚度
R&D 小批量:實驗室離線測厚、工藝條件篩選
封裝 / 載板:干膜、阻焊層、PI 膜、環氧樹脂層
化合物半導體:GaAs、InP 上介質膜 / 金屬膜厚
波長:230–1700 nm(UV–NIR 寬帶)
膜厚:1 nm ~ 500 μm
重復性:≤±0.05 nm(超薄膜)
平臺:全自動 XYθ 平臺(300 mm 兼容)
映射:2D/3D 厚度分布圖
層數:*多 20 層解析
300 mm 晶圓廠離線質檢:CMP 后氧化層殘留、STI 淺溝槽、ILD 層間介質
光刻工藝:PR 膜厚 + 均勻性檢測(曝光前 / 后)
超薄高 k 介質:幾 nm–幾十 nm HfO?、Al?O? 等
功率器件:厚場氧、鈍化膜、外延層測厚
測量方式:光譜橢偏 + 反射率
波長:190–1700 nm
膜厚:0.1 nm ~ 500 μm
可測:膜厚 + 折射率 n + 消光系數 k
自動變角:45°–90° 自動入射角
解析能力:多層膜、梯度膜、超晶格
優良制程(7nm–28nm):極薄柵氧、高 k / 金屬柵疊層
FinFET、GAA:側墻 / 間隔層、SiGe 外延層厚度與組分
非晶 / 微晶薄膜:TFT、IGZO、SiNx 鈍化膜
高精密光學鍍膜:AR、HR、DLC、多層濾光片
LS 離線線掃描膜厚儀(常被混稱為 TE 離線型)