電子設(shè)備（如 LSI）的 ESD（靜電放電）失效模型大致可分為以下三種類型。

• HBM（人體靜電模型）：因人體靜電放電而受損。

• MM（機器型號）：因機器機架等處的靜電放電而損壞。

• CDM（設(shè)備充電模型）：設(shè)備本身因靜電放電到地線等原因而帶電并損壞。

其中，熱基微電磁（HBM）的防護措施包括靜電地板、靜電鞋和防靜電腕帶；而金屬微電磁（MM）的防護措施則包括對生產(chǎn)設(shè)備和工作區(qū)域周圍的金屬物體進行接地。目前，靜電放電（ESD）損傷的主要模型被認(rèn)為是電荷驅(qū)動放電（CDM）。對于大規(guī)模集成電路（LSI）而言，CDM 是指內(nèi)部導(dǎo)體帶電后，由于封裝表面帶電、周圍環(huán)境帶電以及引腳直接帶電等原因，與地接觸時，內(nèi)部導(dǎo)體的電荷會以高速、高峰值電流流出。雖然可以通過使用表面電位計測量電子器件表面的電荷電位來預(yù)防 CDM 引起的 ESD 損傷，但由于電子器件靜電電阻的降低和封裝尺寸的小型化，這種方法變得越來越困難。庫侖計可以直接測量流經(jīng)內(nèi)部導(dǎo)體（例如引線和電路板）的放電電荷，從而立即判斷電子設(shè)備是否會損壞。這種測量方法非常適合CDM模型。它還可以用于生產(chǎn)過程中金屬物體的接地檢查。