Beneq TFS 200 專為學術和企業研發而設計，是一款用途廣泛的原子層沉積 （ALD） 平臺，可在真正的 ALD 模式下提供zhuoyue的薄膜質量。

該系統的模塊化架構允許進行廣泛的升級，確保它可以隨著您的研究需求而發展，無論多么復雜。 Beneq TFS 200 支持在各種基板上沉積，包括晶圓、平面物體、多孔材料和具有高深寬比 （HAR） 功能的復雜 3D 結構，即使在KE刻的應用中也能實現精確鍍膜。

*的 PEALD 功能

Beneq TFS 200 標配直接和遠程等離子體增強原子層沉積 （PEALD）。利用電容耦合等離子體 （CCP） 源（行業標準），它有助于從研發到生產環境的平穩過渡。該系統支持在最大 200 mm 的基板上進行 PEALD 工藝。

針對效率和精度進行了優化

•    純 ALD 模式經過優化，可實現快速、精確的薄膜生長

•    HAR 功能適用于具有挑戰性的結構，例如通孔和多孔襯底

•    冷壁真空室內的熱壁反應室，可實現均勻的熱量分布和快速的腔室更換

•    全面的升級選項，滿足高級研究需求

•    裝載鎖、盒式裝載機和手套箱，用于在受控氣氛下快速傳輸基板

技術信息：

示例應用：

•    用于阻擋應用的 Al2 O3 ALD

•    半導體應用中的 HfO2、SiO2 和 SiN ALD

•    用于光伏電池的 SnO2 ALD

•    用于超導體應用的 TiN 和 NbN ALD模塊