日本進口DNK大日本科研其他量產用曝光裝置

大日本科研（DNK）? 除了 MA-5111ML 和超大型基板用直立型曝光裝置外，還提供多款面向不同量產場景的高性能曝光設備，覆蓋化合物半導體、MEMS、FPD、電子紙、柔性基板等多個領域，滿足從中小尺寸到高密度封裝的多樣化生產需求。

1. ?化合物半導體曝光裝置（Mask Aligner）MA-4000?

專為化合物半導體（如GaAs、GaN、SiC）制造設計，適用于LED、LD、功率器件等高精度圖形轉印。

?核心特點?：

支持 ?2～6 英寸晶圓，可定制更大尺寸

采用?原創平行化機構?，實現掩模與晶圓間高精度接近間隙控制（精度達±0.5μm）

?高速圖像處理對位技術?：支持薄型、翹曲或易碎晶圓（如石英、GaAs）的自動對準

?真空吸盤固定?：通過背面真空吸附實現晶圓高速、穩定傳輸與曝光

可選?接觸曝光?（軟/硬接觸）與?近接曝光?模式，適配不同工藝需求

?適用領域?：

LED外延片電極制作

射頻器件、功率半導體光刻

微型傳感器、光電子器件量產

MA-4000產品詳情

2. ?G3～G5基板用直立型近接曝光裝置 MA-6701ML / MA-6801ML?

針對G3～G5代顯示基板（如TFT-LCD、OLED）開發，采用垂直結構設計，提升系統穩定性與曝光均勻性。

?核心參數?：

?基板尺寸?：MA-6701ML 支持 550×650mm，MA-6801ML 支持 650×750mm

?光源功率?：8kW 超高壓汞燈，確保大面積高均勻曝光

?垂直構造?：掩模與基板豎直放置，消除自重彎曲，無需補償校正

?光學系統?：低傾斜角設計，轉印精度提升至傳統機型的2倍

?熱管理?：主機與光源分離，減少熱干擾；可選配?基板溫控?與?掩模冷卻系統?

?自動化支持?：可搭載5片掩模庫，支持全自動產線集成

 日本進口DNK大日本科研其他量產用曝光裝置

把涂有光刻膠的基板與掩膜重疊光刻圖形的曝光裝置。

主要特長

可進行基板整面一次性曝光的自動近接曝光系統。

適合液晶、陶瓷電容器,熱感應打印頭等,根據客戶需求進行設計。

附有自動對位功能(MA-4000)