代理DNK大日本科研化合物半導體用曝光裝置

?DNK大日本科研?（大日本科研株式會社）是日本精密光刻設備制造商，其?化合物半導體用曝光裝置?（Mask Aligner）專為高精度、多層對位的化合物半導體制造設計，廣泛應用于GaAs、GaN、SiC等第三代半導體材料的器件研發與生產。

核心產品系列：化合物半導體用曝光裝置（MA-4000 系列）

?MA-4000 型 掩膜對準曝光機?

?適用基板?：GaAs、GaN、SiC、藍寶石等化合物半導體晶圓

?晶圓尺寸?：支持 ?2英寸至6英寸?（?2"??6"）

?對位精度?：?±1 μm?（峰值搜索，自動對位）

?曝光方式?：

軟接觸曝光

硬接觸曝光（真空密著式）

接近式曝光（Proximity exposure）

?光源系統?：

超高壓汞燈（500W、1kW、2kW、3.5kW可選）

搭載?鏡面光學系統燈房?（LAMP HOUSE），實現高照度與照射面內均勻性

?核心特長?：

采用?獨自的高速圖像處理技術?，實現高精度Wafer與掩膜對位

配備?非接觸預對位系統?（Prealigner），避免薄型或翹曲晶圓損傷

支持?自動掩膜更換機?與?掩膜存放庫?（最多5張），提升量產效率

可選配?基板臺溫度控制系統?與?掩膜冷卻系統?，防止熱伸縮影響對位精度

采用?背面真空吸著方式?，確保晶圓高速、穩定傳送

該設備特別適用于LED、激光二極管、功率器件、射頻器件等化合物半導體的微細圖形轉移，滿足研發與小批量生產的高精度需求。

 代理DNK大日本科研化合物半導體用曝光裝置

把涂有光刻膠的基板與掩膜重疊，光刻圖形的曝光裝置。為了實現多層曝光時的自動對位，裝配有顯微鏡和X·Y·0對位臺。自動進行基板的供給、對位、曝光、排出。

主要特長

·采用獨自的平行調整機構,能夠高精度地設定掩膜與Wafer間的近接間隙。

·利用獨自的高速圖像處理技術,實現高精度的對位。

·利用圖像處理技術,使預對位可對應薄型基板或翹曲基板及水晶等易碎Wafer(選購項)。

·利用獨自的接觸壓力精密控制機構,能夠使Wafer與掩膜高精度地接觸。

·通過Wafer的背面真空吸著方式,實現高速度和高精度以及穩定的自動搬送。