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核心參數

1. 研磨定盤規格：910mm 大尺寸合金研磨盤，適配多尺寸大口徑晶圓同步加工

2. 工位結構：標準 3 組輥臂式載片工位，可同步裝載多片襯底開展雙面研磨

3. 主軸溫控：整機標配水冷循環主軸單元，運行過程持續帶走主軸熱量，穩定盤面溫度區間

4. 加壓系統：多段氣缸分級加壓模式，支持低速緩降上盤控制，適配超薄脆性晶圓加工

5. 操控系統：工業觸控 PLC 操作面板，可存儲多組定制工藝曲線，轉速、壓力、時長參數獨立可調

6. 防護結構：整機全封閉鈑金防護倉，雙層鋼化可視觀察門，阻隔車間粉塵侵入加工腔體

7. 供電規格：三相 AC200V 工業供電，適配半導體潔凈廠房標準配電環境

8. 拓展選配：可加裝晶圓實時厚度檢測單元、研磨盤面自動修盤機構、自動化上下料對接模塊

日本engis 大口徑半導體晶圓雙面研磨拋光機

適用場景

1. 第三代半導體 SiC/GaN 晶圓量產

   碳化硅功率器件襯底、氮化鎵外延片雙面研磨，完成晶圓減薄與鏡面拋光，滿足新能源、車載芯片襯底平面度指標。

2. 硅基半導體集成電路加工

   大尺寸硅片雙面平整研磨，改善晶圓翹曲度，適配芯片封裝前基底平面精加工工序。

3. LED 光學藍寶石襯底加工

   藍寶石發光基底鏡面拋光，控制襯底表面粗糙度，提升芯片發光效率與良率。

4. 光通訊石英、光學玻璃元件

   光學鏡片、光纖閥片、平面窗口片高精度平面研磨，保障透光與平行度性能。

5. 新材料實驗室工藝開發

   各類化合物半導體小批量試產，可快速切換研磨壓力、轉速工藝，對比不同加工方案成品效果。

6. 精密液壓 / 密封金屬零部件

   不銹鋼閥片、密封墊片雙面平面研磨，滿足機械零部件密封平面精度要求。

使用優勢

1. 三工位輥臂載片設計，提升單批次加工產能

   三組獨立輥式載片臂同步運行，單次加工可容納多片晶圓，同等占地面積下單次處理襯底數量更多，匹配大批量連續量產節拍。

2. 水冷恒溫主軸，弱化溫度對平面精度的影響

   主軸內部集成水循環冷卻結構，研磨作業持續帶走主軸運轉產生的熱量，盤面溫度波動幅度收窄，晶圓整面均勻度表現更穩定。

3. 分段柔性加壓 + 低速緩降，減少薄片晶圓損耗

   支持多階梯壓力分段調節，上盤采用伺服控制緩慢下降貼合工件，針對脆性超薄襯底可降低擠壓沖擊，減少加工階段碎片損耗。

4. 全封閉防塵加工倉，適配半導體潔凈車間

   整機一體化封閉外殼搭配可視鋼化門，隔絕車間粉塵、漂浮雜質落入研磨區域，避免雜質劃傷晶圓鏡面，符合半導體無塵廠房管控標準。

5. 豐富選配拓展模塊，適配多階段生產需求

   可根據產線階段加裝厚度實時檢測、盤面自動修盤機構，研發線可側重工藝調試，量產線可加裝自動化上下料實現全線聯動。

6. 大容量工藝程序存儲，多品種混線切換便捷

   觸控系統內部可存儲數十套獨立加工工藝，更換不同材質、尺寸晶圓時直接調取預設程序，無需重復手動設置參數，縮短換型調試時長。

7. 高剛性一體機架，長期量產形變幅度小

   設備底座采用厚板一體焊接成型結構，機身剛性充足，長期不間斷量產工況下，研磨盤同軸度、平行度可維持穩定區間，減少定期校準頻次。

8. 多類型研磨介質兼容，一機覆蓋多制程

   設備可搭配金剛石固定磨具、游離研磨漿料、CMP 拋光液開展加工，粗磨、精磨、鏡面拋光多道工序均可在本機完成，減少產線設備投入數量。