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產品簡介
| 產地類別 | 進口 | 價格區間 | 1-5萬 |
| 應用領域 | 化工,地礦,電子/電池,電氣,綜合 |
工業OTSUKA大塚 ELSZneoSE 電位顆粒度儀
工業OTSUKA大塚 ELSZneoSE 電位顆粒度儀
Zeta電位和粒度測量系統ELSZneoSE NEW
本產品是一款專用于測量顆粒尺寸和zeta電位的儀器。ELSZneoSE
提供ELSZneo的新功能作為可選特性。您可以根據具體應用需求自定義這些功能。
可根據您的需要添加功能(分子量測量、顆粒濃度測量、微流變學測量、凝膠網絡結構分析、多角度粒徑測量)。
使用標準流動池可以連續測量粒徑和zeta電位。
可以在很寬的濃度范圍內測量顆粒尺寸和zeta電位,從稀溶液到濃溶液(高達40%)。
在高鹽濃度下可以測量平面樣品的zeta電位。
測量溫度范圍很廣,從 0 到 90°C 均可進行。
溫度梯度函數能夠分析蛋白質和其他材料的變性和相變溫度。
通過測量和繪制細胞內的電滲流,我們獲得了高度精確的zeta電位測量結果。
可加裝熒光濾光片(可選)。
目的
這非常適合對微粒、薄膜和片狀樣品等表面科學進行基礎研究和應用研究,研究領域包括界面化學、無機材料、生命科學、半導體、聚合物、生物學、藥學和醫學。
新型功能材料領域:
燃料電池相關(碳納米管、富勒烯、纖維素納米纖維、功能膜、催化劑、納米金屬)、
生物納米相關(納米膠囊、樹枝狀聚合物、DDS、生物納米顆粒)、納米氣泡、
生物相容性材料等。
陶瓷和著色劑行業:
的表面改性、分散和聚集控制
;顏料(炭黑、有機顏料)的分散和聚集控制;以及
漿狀樣品
和濾色片
中礦物浮選吸附的研究。
在半導體領域,
我們正在研究 異物粘附到硅晶片表面的機制
、磨料和添加劑與晶片表面的相互作用以及
CMP 漿料。
聚合物和化學工業
研究 :乳液(涂料和粘合劑)的分散和聚集控制,乳膠(醫藥和工業)的表面改性,聚合物電解質(聚苯乙烯磺酸鹽、聚羧酸等)的功能,以及造紙工藝控制和
功能性納米顆粒紙漿和紙漿
的紙漿添加劑研究。
控制制藥和食品工業中乳液(食品、香料、醫藥和化妝品)的分散和聚集;
控制功能性脂質體和蛋白質囊泡的分散和聚集;以及控制表面活性劑(膠束)的功能。
原則
粒度測量原理:動態光散射法(光子相關法)
溶液中的顆粒會進行布朗運動,其運動強度取決于顆粒大小。因此,當光照射到這些顆粒上時,散射光對于小顆粒表現出快速波動,對于大顆粒則表現出緩慢波動。
通過光子相關光譜法分析這些波動,可以確定顆粒的大小和粒徑分布
。
分析流程
Zeta電位測量原理:電泳光散射法(激光多普勒法)
當對溶液中的粒子施加電場時,會觀察到電泳現象,其取決于粒子的電荷。通過電泳速度,可以確定zeta電位和電泳遷移率。在電泳光散射中,用光照射電泳粒子,并通過散射光的多普勒頻移來確定電泳速度。這種方法也稱為激光多普勒法。
測量電滲流的優勢
電滲流是指在zeta電位測量過程中,溶液在細胞內的流動。當細胞壁帶電時,溶液中的反離子會聚集在細胞壁上。施加電場后,反離子會向相反方向的電極移動,并在細胞中心附近產生反向流動以補償這種流動。通過測量顆粒的表觀電泳遷移率并分析電滲流,可以確定正確的靜止表面,并考慮細胞污染(例如樣品的吸附和沉降)的影響,從而計算出真實的zeta電位和電泳遷移率。(參見Mori和Okamoto公式)
Mori 和 Okamoto 公式
z:距電泳槽中心的距離;
Uobs(z):電泳槽中位置 z 處的表觀遷移率;
A = 1/[(2/3) - (0.420166/k)];
k = a/b:2a 和 2b 分別為電泳槽橫截面的水平和垂直長度,其中 a > b;
Up:粒子的真實遷移率
;U0:電泳槽上下壁的平均遷移率;ΔU0
:電泳槽上下壁遷移率之差
電滲流在多組分分析中的應用
ELSZ 系列測量細胞內多個點的表觀電泳遷移率,從而可以驗證 zeta 電位分布的重現性并識別測量數據中的噪聲峰。
應用于平面細胞
該平板池的結構允許將平板樣品緊密地附著在盒狀石英池的頂面上并集成其中。在池的深度方向上,測量監測粒子在各層級的表觀電泳遷移率,并根據獲得的電滲剖面分析固液界面處的電滲流速度,從而確定平板樣品表面的zeta電位。
濃縮樣品zeta電位測量原理
對于濃度 顏色較深、透光性差的樣品,由于多重散射和吸收的影響,使用ELS系列儀器進行測量較為困難。
目前,ELSZ系列的標準樣品池可以測量從稀薄到濃稠的各種樣品。此外,對于濃度更高的樣品,現在可以使用采用FST方法*的濃縮樣品池進行zeta電位測量。
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