代理OTSUKA大塚電子晶圓厚度薄膜量測設備

代理OTSUKA大塚電子晶圓厚度薄膜量測設備

Standalone型晶圓厚度量測&產線上膜厚量測設備TE series

◎可根據需求對應2吋到12吋樣品
◎在最適樣品下量測時間1秒即可完成
◎可對應Inline或Offline
◎高精度自動對位組件

◎各種非金屬化合物半導體材料厚度量測例：GaAs、SiC、SiO2

產品資訊

◎可根據需求對應max. 300mm樣品的Standalone量測設備
◎在最適樣品下量測時間１秒即可完成
◎針對300mmEFEM（Equipment Front End Module）于予備Lord Port Docking or 獨立Standalone(手動POD上料)
◎搭載高精度自動對位組件。
◎各種非金屬化合物半導體材料厚度量測例：GaAs、SiC、SiO2
◎可對應In Line 或Off Line
 

本設備配合半導體Wafer CMP制程中，于Off Line wafer薄膜厚度量測用途。
設備中包含2組Wafer Loadport、EFEM 、In-situ Metrology Module。
設備中的In-situ Metrology Module為透過光學反射原理藉由各薄膜層之光干涉現象，進而建立膜厚模型分析膜厚數值。
 　
　                                Standalone型式薄膜厚量測設備全體圖 (Model:TE series)

本設備由EFEM robot取放待檢wafer至膜厚量測單元(Metrology Module)，設備將自動進行對位量測，并依序完成客戶指定pad薄膜厚度量測動作。
設備中具備高解析光學檢測系統及高精度XY運動軸完成量測作業的進行，并于量測完成后匯整顯示各點的量測數據資訊。
 

量測項目：◎多層膜解析、◎光學常數（n:折射率、k:消光系數）
設備中具備高解析光學檢測系統及高精度XY運動軸完成量測作業的進行，并于量測完成后匯整顯示各點的量測數據資訊。　
　　
　　　　　　　　Metrology Module的內容XY-回転自動平臺和光學檢測unit

●基本原理&解析手法
　　
　　　　　　　　　　　　　反射分光法也稱為光干涉法，搭載光譜儀的反射架構下，由反射率進一步求得光學膜厚

●得到高精度検測非接觸式顯微膜厚計(Model:OPTM series)
　　　
　　　　　        顯微分光的光學架構多點分析法