日本代理OTSUKA大塚電子半導體量測設備

日本代理OTSUKA大塚電子半導體量測設備

半導體量測設備GS-300｜晶圓厚度與線上膜厚量測

無須搬送one through、降低Wafer的污染與高效率的Wafer量測提案
■GS-300為可針對Φ300mmEFEM裝置的預備port進行In-situ Metrology Unit的整合。
　?簡單針對研磨機等量產制程進行整合。減少wafer污染
　?可對應半導體生產工程的高throughput的要求
　?可針對wafer表面的pattern作對位alignment
　?對應Notch aligment功能
　?500x500mm小footprint
　?用R-θ載物臺移動方式來測繪測量資料。研磨后wafer厚度測定、可針對鍍膜后的wafer做面內膜厚管理
■GS-300、能有效生成研磨前后差異Mapping資料等、尤其在2次研磨中必要的資料作成
　?能量測WAFER EDGE附近膜厚?可最適化定義WAFER有效區(qū)
　　　　　　　　　　　　　　　　 　在次工程研磨于chipping為防止破片的最佳對策
　?化合物WAFER、貼合的評價?針對產品于wafer厚度的品質能有效提升
 

針對EFEM裝置預備port整合GS-300
　

One through研磨處理
　　　　　研磨研磨結束?排出GS-300的stage搬入厚度量測開始高速測定中表示測定顯示例（研磨后WAFER厚度評価）GS-300內部構造與流程 GS-300的處理（節(jié)省從制造設備到検查設備的搬送時間?以One through的構造降低WAFER的污染. 　(1)針對制造裝置內如研磨等工程后的WAFER、為了以MAPPING的方式確認于同裝置內的平坦度等而導入GS-300。 　(2)將WAFER設置于GS-300內的R-θstage上。以6萬點約１分（最快的情況下）MAPPING量測。 　(3)測定終了后、生成次工程必要資料型式后將WAFER從GS-300排出。 　晶圓搬送進片方向可自由設置選擇（如有prealignment功能）、量產制程中容易整合（500 X 500mmのfootprint）
　　　　


　
　





　

分光干涉式厚度量測原理
將光照射于測定対象（基板）上后、會引起表面反射光與里面反射光的交互干涉（多重反射）。
當光的位相一致時強度變強、不一致時變弱。觀測光譜因伴隨的波長的變化,反射強度而変化的干渉型式。
分光干渉法為解析這光譜進而求得厚度的手法。
　　光干渉原理

膜厚解析（周波數解析法）
GS-300使用的膜厚解析為周波數解析法、以弊社考慮獨自屈折率n的波長分散性的解析技術、
于厚膜領域也能高精度解析出與實際值相當接近之膜厚。
　
　　　　　　　　　　　　　反射光譜→周波數解析法→并求出厚度的方法

對應高速量測
導入以一量測點約20um, 最快1msec.高性能感應器"SF-3"來針對移動的樣品, 以6萬點約１分（最快的情況下）MAPPING量測。
　
　

此菜、針對薄膜與厚膜的需求選定檢出器的Line up