在半導(dǎo)體、量子材料等科研領(lǐng)域,分子束外延(MBE)是制備原子級精度超薄薄膜的核心技術(shù)。日本 ARIOS(アリオス)推出的 MBE 裝置,憑借 20 余年的制造經(jīng)驗、全自主設(shè)計與超高真空性能,成為科研級薄膜生長的設(shè)備。
依托 ARIOS 的超高真空技術(shù),對分子線源、基板加熱機構(gòu)等核心部件進行加熱脫氣處理,成膜室通入液體窒素時可實現(xiàn) 1×10??Pa 以下的超高真空,從根源上杜絕雜質(zhì)污染,保障薄膜的超高純度與結(jié)晶質(zhì)量。
裝置標(biāo)配 RHEED(反射高能電子衍射)、BFM(束流監(jiān)測)、輻射熱源等監(jiān)測與控制模塊,可根據(jù)科研需求靈活配置;支持 1"~6" 尺寸基板,適配 Ⅲ-Ⅵ 族等多種半導(dǎo)體材料體系。同時支持通過觸控面板、序列程序?qū)崿F(xiàn)排氣、成膜等全工藝的自動運轉(zhuǎn),大幅降低人工操作誤差,提升實驗重復(fù)性;可搭配托洛奇搬運、轉(zhuǎn)輸室搬運系統(tǒng),支持自動送樣,適配連續(xù)實驗需求。
從分子線源、RHEED 等核心部件到控制單元,全程由 ARIOS 自主研發(fā)制造,可根據(jù)客戶需求進行精細化定制,實現(xiàn)短交期、高品質(zhì)的特注品生產(chǎn)。裝置搭載離子泵、渦輪分子泵等可自由組合的排氣系統(tǒng),基板加熱溫度 800℃,可選 1000℃高溫款;標(biāo)配 4~8 個分子線源,適配 5cc~100cc 容量,覆蓋高低溫工況;腔體采用 SUS 304/316L 材質(zhì),加熱部選用 Mo、Ta 等耐高溫材料,電源支持單相 AC100V 與三相 AC200V,滿足不同實驗室供電需求。
該設(shè)備廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件研發(fā)、量子材料生長、二維材料制備、光電薄膜研發(fā)等科研領(lǐng)域,是高校、科研院所、半導(dǎo)體企業(yè)研發(fā)中心的核心實驗設(shè)備。