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| 應用領域 | 綜合 |
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文天精策設計的Wafer-to-wafer（晶圓對晶圓）熱壓鍵合加熱盤，是專為熱壓鍵合（TCB）工藝打造的核心組件，熱壓鍵合技術其核心是通過同時施加熱量與壓力，使兩片完整晶圓在原子層面實現緊密接觸與擴散，最終形成牢固冶金結合，是半導體優良封裝、MEMS與微流控器件制造中的關鍵工藝裝備。
熱壓鍵合加熱盤 | |
材質 | SUS316/因瓦合金/鋁合金（根據工藝需求選配） |
溫度穩定性 | ±1℃ |
系統控溫精度 | 0.5℃（讀表精度） |
環境真空度 | 10-5mbar |
工作壓力 | 6寸晶圓適配100KN |
加熱盤平面度 | ≤10um |
工作溫度 | 400℃，最高工作溫度：550℃（適配高溫熱壓鍵合需求） |
升降溫速率 | 最大升溫速率35℃/min，最大降溫速率20℃/min |
適配晶圓尺寸 | 4寸、6寸、8寸、12寸 |
盤面溫度均勻性 | 室溫~200℃ ±1%；200-500℃ ±1.5% |
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