1）全型號與核心參數

• CFD?1T?B（基礎微量型）

• 單沖程吐出量：0.4–2.7 mL/shot（默認 1 mL/shot）

• 最大壓力：0.05 MPa

• 最大沖程：30 spm（≈30 mL/min）

• 接液材質：PTFE / PFA / PCTFE（全氟，無金屬）

• 溫度：20–60°C

• 精度：重復性 ±1%

• 特色：防虹吸、標配漏液傳感器、光學位置反饋

• CFD?8T?B（中微量型）

• 單沖程吐出量：8 mL/shot（固定）

• 其余參數同 CFD?1T?B（壓力、沖程、材質、溫度）

）核心特點（半導體關鍵）

• 全氟無金屬：PTFE/PFA 接液，零金屬離子析出，滿足 SEMI S2/S8。

• 超高分辨率：1 mL/shot 級精準補液，杜絕過量添加。

• 低顆粒：風囊結構 + PFA 軟管，內壁光滑顆粒殘留＜0.1 μm。

• 安全設計：防虹吸+漏液傳感器，風囊破損立即報警。

• 易集成：氣動驅動，可與清洗機 / 刻蝕機 PLC 聯動。

3）運用場景

• 晶圓單片清洗（RCA/SC1/SC2）：微量氨水、雙氧水、稀 HF 精準補加（0.4–2.7 mL/shot）。

• 濕法刻蝕（BOE、稀磷酸）：低濃度刻蝕液微量補充，濃度閉環控制。

• CMP 漿料：微量添加劑 / 穩定劑定量投加，防顆粒團聚。

• 光刻 / 顯影：顯影液、剝離液微量補給，低脈動不影響圖案。

• 化學品柜（Chem Cabinet）：高純藥液終端微量分配。