半導(dǎo)體晶圓劃片膠帶是芯片分割制程中的關(guān)鍵輔助材料，膠帶直接承載晶圓，在高速刀片切割過程中固定芯片，抑制芯片飛片、崩邊，同時(shí)保障切割后芯片的拾取剝離性能，對(duì)潔凈度、延伸率、粘接力穩(wěn)定性有著嚴(yán)苛指標(biāo)要求。ELP V?8A 作為非 UV 型 PVC 基底劃片膠帶，面向中小尺寸芯片切割場(chǎng)景，在消費(fèi)類芯片、分立器件、光電器件加工領(lǐng)域獲得廣泛應(yīng)用。

ELP V?8A 整體結(jié)構(gòu)由 PVC 基材層、丙烯酸壓敏膠層、聚酯離型襯膜組成，總厚度 75μm，外觀為淡藍(lán)色半透明，在百級(jí)潔凈車間完成涂布復(fù)合，全制程管控微粒析出，降低晶圓與芯片表面異物污染風(fēng)險(xiǎn)。PVC 基材具備高延伸特性，擴(kuò)膜工序下可均勻拉伸，使切割之后的芯片之間形成均勻間隙，減少芯片相互碰撞、剮蹭；基材同時(shí)具備合適的抗拉強(qiáng)度，切割作業(yè)時(shí)抵御刀片沖擊，降低膠帶撕裂、芯片位移不良。

核心膠粘劑采用專用丙烯酸壓敏體系，對(duì)硅晶圓粘接強(qiáng)度 1.2N/20mm，粘接強(qiáng)度穩(wěn)定，切割全過程可牢固束縛芯片，規(guī)避高速切割產(chǎn)生的水壓沖擊造成的芯片移位、飛片問題。切割完成后，膠帶依舊維持合適粘接水平，既不會(huì)出現(xiàn)芯片脫落，又可以滿足后續(xù) Pick?up 拾取工序，芯片可以平穩(wěn)剝離，膠層極少殘膠于芯片焊盤與功能面。產(chǎn)品經(jīng)過低有機(jī)析出優(yōu)化，有機(jī)物析出量低，不會(huì)對(duì)芯片電極、鈍化層造成有機(jī)污染，滿足半導(dǎo)體制程潔凈管控標(biāo)準(zhǔn)。

主要技術(shù)參數(shù)：

產(chǎn)品型號(hào)：ELP V?8A
總厚度：75μm
基材：PVC 薄膜
膠系：丙烯酸壓敏膠
對(duì)硅晶圓粘接力：1.2N/20mm
外觀：淡藍(lán)色半透明
適用芯片尺寸：0.8?5mm2
加工環(huán)境溫度：5?35℃

ELP V?8A 屬于非紫外線解粘型劃片膠帶，無需 UV 照射即可完成芯片拾取，簡化產(chǎn)線設(shè)備配置，適合不具備 UV 解粘工位的加工產(chǎn)線。適配硅晶圓、部分化合物半導(dǎo)體晶圓切割，面向二極管、三極管、MOS 管、光耦、小型 IC 等中小尺寸芯片。完整工藝流程包含：晶圓貼膜、真空壓合、劃片切割、擴(kuò)膜、芯片拾取。貼膜壓合環(huán)節(jié)保證膠帶與晶圓背面貼合無氣泡；高速切割階段依靠膠帶的韌性固定每一顆晶粒；擴(kuò)膜后芯片縫隙撐開，便于頂針與吸嘴完成拾取作業(yè)。

在實(shí)際工藝應(yīng)用中，該型號(hào)適合厚度 200?600μm 常規(guī)硅片，不推薦超薄晶圓以及大尺寸芯片使用。存儲(chǔ)條件要求 5?25℃避光保存，避開高溫與陽光直射，防止膠層性能發(fā)生變化；開封后應(yīng)盡快用完，減少潔凈環(huán)境下曝露時(shí)間，降低微粒污染概率。對(duì)比 UV 解粘膠帶，ELP V?8A 工藝更簡潔，減少 UV 設(shè)備投入，在分立器件量產(chǎn)線上具備較高的性價(jià)比。

隨著分立器件、光電子芯片產(chǎn)能擴(kuò)張，劃片膠帶的工藝適配性直接影響成品良率。崩邊、飛片、殘膠、拾取失敗是劃片工序常見失效模式，膠帶基材延伸率、粘接力、潔凈度三大指標(biāo)對(duì)良率起到關(guān)鍵作用。ELP V?8A 依托 PVC 基材與丙烯酸膠配方平衡固定能力與可剝離性能，針對(duì)中小晶粒切割場(chǎng)景做定向優(yōu)化，為半導(dǎo)體后道劃片工序提供穩(wěn)定的材料解決方案。

日崎分享--晶圓切割工藝Nitto Denko 日東電工 ELP V?8A 劃片膠帶

會(huì)員登錄

收藏該商鋪

提示