進口DNK大日本科研?200mm 兼容曝光機

?進口DNK大日本科研化合物半導體用?200mm曝光機?是專為高精度光刻工藝設計的關鍵設備，廣泛應用于LED、激光二極管（LD）、功率器件等化合物半導體的研發與小批量生產，支持?Φ200mm（8英寸）晶圓?的高效圖形轉移。

該系列以?MA-4301M?為代表型號，具備以下核心特性：

?高精度對位能力?：采用X?Y?θ自動對位系統，結合高速圖像處理技術，實現?±1 μm（峰值搜索）?的對位精度，確保多層曝光的精準套刻。

?靈活曝光模式?：支持軟接觸、硬接觸及接近式曝光（Proximity exposure），可根據工藝需求靈活選擇，節拍時間低至?19秒/片?（單批次補償）。

?穩定光學系統?：搭載鏡面光學系統燈房（Lamp House），確保照射面內高均勻性與高照度，提升曝光一致性。

?自動化與擴展性?：配備自動掩膜更換機，支持掩膜庫存儲；可選裝冷卻機構實現基板臺與掩膜的溫度管理，適用于高穩定性生產環境。

?寬兼容性?：支持Si、Glass等多種基材，晶圓尺寸覆蓋Φ6″（150mm）與Φ8″（200mm），滿足多種研發與中試需求。

此外，設備本體尺寸為?W 1800 × D 1650 × H 2015 mm?，總重量約?1400 kg?（含燈房），適合集成于潔凈室環境。

進口DNK大日本科研?200mm 兼容曝光機

主要特長

·利用本公司高速圖像處理技術，實現了Wafer與掩膜的高精度對位。

·裝載機側和卸載機側最多可設置兩個籃具(選購項)。

·備有冷卻機構，可進行基板臺與掩膜的溫度管理(選購項)。

·搭載本公司鏡面光學系統爆光燈房(LAMPHOUSE)。從而實現了照射面內的均勻性以及高照度。

·搭載非接觸預對位系統(PREALIGNER)。從而實現了高精度進給且保證基板不受任何損傷。

 搭載有自動掩膜更換機。并可支持掩膜存放庫。

主要規格