上海一韋儀器科技有限公司
一韋儀器介電陶瓷固相合成制備解決方案 | PZT壓電陶瓷全流程工藝參數與性能驗證
檢測樣品:介電陶瓷
檢測項目:工藝參數與性能
方案概述:PZT壓電陶瓷固相合成涉及配料、球磨、預燒、成型、燒結、拋光,需協同。PbO高溫揮發需過量(3~5 wt%),預燒溫度850~900℃需均勻溫場,燒結升溫/保溫/氣氛影響致密化。本方案用一韋儀器實現高純高致密制備。
實驗目的
介電/壓電陶瓷(以PZT鋯鈦酸鉛為代表)的固相合成制備涉及配料、球磨、預燒、成型、燒結、拋光等多個工藝環節,各環節設備參數需協同匹配。PbO在高溫下具有顯著揮發性,預燒及燒結階段需過量添加(通常為35 wt%)以補償揮發損失;預燒溫度窗口狹窄(850900℃),需避免因爐膛溫場不均導致的局部欠燒或過燒;燒結工序的升溫速率、保溫時間、冷卻制度及燒結氣氛均對致密化行為與晶粒異常生長產生顯著影響。本方案旨在通過一韋儀器全流程協同設備,實現PZT壓電陶瓷的高純度、高致密化制備。
儀器與材料
· 設備:一韋儀器行星式球磨機PM500、
· CFA系列箱式氣氛爐、
· ES200振動篩分儀
· 研磨介質:氧化鋯研磨罐(4×250mL)+ 氧化鋯/瑪瑙磨球
· 樣品:Pb?O?、ZrO?、TiO?、Nb?O?、SrCO?等原料粉體(純度≥99%)
實驗步驟
按化學計量比稱量Pb?O?、ZrO?、TiO?原料(Pb過量35 wt%),微量摻雜劑Nb?O?、SrCO?采用FAB300E電子分析天平(精度0.0001 g)稱量。原料與無水乙醇加入PM500行星式球磨機氧化鋯研磨罐,轉速350 rpm球磨46 h。球磨漿料于鼓風干燥箱中80℃恒溫干燥4 h脫除乙醇。干燥粉料裝入帶蓋剛玉坩堝,置于CFA系列箱式氣氛爐(控溫精度<1000℃為±0.1℃,≥1000℃為±1℃),以5℃/min升溫至850℃保溫2.5 h進行預燒。預燒塊體破碎后二次球磨細化,出料使用ES200振動篩分儀(測量范圍20 μm125 mm,最大支持9層篩網疊加)配合200目不銹鋼篩網干法篩分。造粒粉體填入模具,粉末壓片機在1520 MPa壓力下保壓1 min,壓制成12 mm×1.5 mm圓片素坯。素坯于CFA系列馬弗爐中以2℃/min升溫至550℃保溫1 h排膠,再升溫至1250℃保溫2~3 h致密化燒結,全程通入氧氣(流量0.5~1 L/min)。燒結陶瓷片使用拋光機經砂紙逐級粗磨,最后以0.5 μm Al?O?拋光液配合拋光布精拋,獲得Ra≤0.1 μm鏡面測試面。
實驗數據
| 指標 | 參數/結果 |
|---|---|
| PM500球磨出料粒度 | D50<0.5 μm |
| CFA預燒溫區均勻性 | ≤±5℃ |
| ES200篩分目數 | 200目(75 μm) |
| 成型壓力 | 15~20 MPa |
| 燒結溫度/保溫時間 | 1250℃ / 2~3 h |
| 燒結氣氛 | O?流量0.5~1 L/min |
| 拋光表面粗糙度 | Ra≤0.1 μm |
| 相對密度 | ≥98% |
| XRD物相 | 純鈣鈦礦相,無焦綠石相或原料殘余峰 |
| 壓電應變常數d?? | 450~500 pC/N |
| 介電損耗 | <0.5% |
方案總結
一韋儀器基于對介電/壓電陶瓷固相合成制備工藝的深入理解,構建了覆蓋配料稱量(FAB300E,精度0.0001 g)、粉碎混合(PM500,出料D50<0.5 μm)、熱處理(CFA系列,控溫精度±0.1~±1℃)、成型(1520 MPa)、拋光(Ra≤0.1 μm)及輔助制備全流程的設備協同解決方案。在PZT壓電陶瓷制備中經實驗驗證,可獲得相對密度≥98%、純鈣鈦礦相、壓電應變常數450500 pC/N、介電損耗<0.5%的高性能陶瓷樣品。該方案可拓展應用于BaTiO?基介電陶瓷、微波介質陶瓷、NTC/PTC熱敏陶瓷及ZrB?基超高溫陶瓷等功能陶瓷體系的研發與中試生產
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