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| 價格區間 | 面議 | 應用領域 | 綜合 |
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ALD 系統性能測試數據 / ALD TEST DATA

桌面式高性能原子層沉積系統技術參數 / TECHNICAL DATA
腔體材質 | 316SS | |
工作溫度 | RT~350℃ | |
控溫精度 | ±1℃ | |
| 基板尺寸 | 最大單片4''樣品(可定制6''樣品) | |
2個低溫前驅體氣路(RT~150℃) | TMA,H2O etc | |
2個高溫前驅體氣路(RT~150℃) | Hf(NMe2 )4 ,Zr(NMe2 )4 etc | |
前驅體控溫精度 | ±1℃ | |
氣體流量控制 | 最高3路氣體流量控制,流量范圍0~500sccm | |
載氣 | N2,Ar | |
反應氣 | O2/O3,H2 | |
樣品非均勻性 | ≤1%@氧化鋁,平均5點,邊緣去除5mm | |
軟件控制 | 圖形化設計控制,PID自動控溫,高度定制的工藝程序,30天操作記錄 | |
選配項 | QCM原位監測模塊、臭氧發生器、手套箱 | |
●小型化設計,占地極小,靈活適配各類實驗環境
●原子級薄膜生長與埃米級厚度精確控制