王洋
當前位置:日崎國際貿易(成都)有限公司>>大塚電子 / Otsuka>>橢偏儀/薄膜分析儀>> FE-5000日崎 大塚電子Otsuka橢偏儀
| 產地類別 | 進口 | 應用領域 | 環保,化工,生物產業,制藥/生物制藥,綜合 |
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日崎 大塚電子Otsuka橢偏儀
日崎 大塚電子Otsuka橢偏儀
在評價極薄的半導體氧化膜或高科技新材料表層時,普通的干涉測厚儀由于信號解析能力受限,往往難以獲得精確到納米(nm)級別的數據,且很難獨立算出復雜材料的折射率和消光系數。此外,部分橢偏儀在特定測試角度或材料厚度下會產生測量盲區(不感帶),導致數據的離散度增大。
【克服測定死區與高精度解析】FE-5000 系列分光橢偏儀引入了旋轉檢偏器法,配合高穩定性的長壽命氙燈光源,獲取了的信噪比。為了解決橢偏測量中常見的“不感帶"困擾,系統特別設計了相位差板自動脫著(裝卸)機構。當算法識別到信號進入敏感區時,相位差板會自動介入調節偏振狀態,從而在全量程范圍內將 tanψ 和 cosΔ 的測定精準度控制在 ±0.01 的平穩水平。
【自動化變角與寬適應性】不同折射率的薄膜材料,其獲得最佳偏振信號的最佳入射角也會有所不同。該設備搭載了自動正弦桿驅動(Auto Sine-bar Drive)系統,允許操作員在 45° 到 90° 之間平滑地調節入射與反射角度,適應各類未知薄膜體系的科研探測。憑借此套堅實的光學與機械架構,設備在進行 100nm 標準硅氧化膜測定時,其厚度反復再現性可達 0.01% 的優良標準。
【主要技術規格參考表】
類別 / 規格 | 核心技術指標說明 |
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核心測量方式 | 旋轉檢偏器法 (具備偏光子驅動能力) |
可測厚度范圍 (nd) | 0.1 nm ~ 1 μm (適用于超薄膜至亞微米膜) |
測試角度范圍 | 45° ~ 90° (入射及反射角) |
角度驅動控制機構 | 自動正弦桿 (Sine-bar) 驅動結構 |
偏振解析精度 | tanψ 測定準確度 ≤ ±0.01 / cosΔ 測定準確度 ≤ ±0.01 |
測量穩定性 (反復性) | 膜厚再現性 ≤ 0.01% (基于 VLSI 標準 100nm SiO2 測試) |
光譜光源與頻段 | 配備高穩定性氙燈,波長覆蓋 300 ~ 800 nm (自動工作臺狀態) |
防盲區特殊結構 | 具備對不感帶有顯著改善效果的相位差板自動裝卸結構 |
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