基本上，凡是需要精確控制真空度的地方都會用到真空控制閥。例如，在化學(xué)氣相沉積（CVD）和原子層沉積（ALD）工藝中，就需要進(jìn)行精細(xì)控制。在半導(dǎo)體和顯示器生產(chǎn)中，它們用于濺射和刻蝕工藝。同樣，真空控制閥也用于真空環(huán)境，例如極紫外光刻（EUV）。

VAT 真空控制閥可實現(xiàn)腔體真空度、排氣流導(dǎo)的高精度閉環(huán)調(diào)節(jié)，兼顧壓力控制以及腔體隔離功能，適配高真空、超高真空工況，廣泛配套半導(dǎo)體設(shè)備、面板設(shè)備、鍍膜設(shè)備以及各類科研真空裝置。

半導(dǎo)體制造領(lǐng)域

1、等離子刻蝕設(shè)備安裝在刻蝕腔體后端作為節(jié)流控制部件，實時調(diào)節(jié)腔體內(nèi)工藝壓力，維持 mTorr 等級的穩(wěn)定工作氣壓，適配硅刻蝕、介質(zhì)刻蝕工藝，可以耐受氟、氯類腐蝕性工藝氣體，同時實現(xiàn)工藝腔體與真空泵組之間隔離防護(hù)，是 ICP、RIE 刻蝕設(shè)備的關(guān)鍵零部件。

2、CVD、PECVD、ALD 薄膜沉積設(shè)備精準(zhǔn)調(diào)控沉積腔體內(nèi)部壓力，保障薄膜生長過程壓力穩(wěn)定，部分型號可承受高溫工況，削弱壓力波動帶來的影響，保障薄膜厚度均勻。

3、PVD 濺射設(shè)備調(diào)節(jié)濺射腔體真空壓力，管控排氣通量，應(yīng)用于金屬、介質(zhì)薄膜濺射制程，降低顆粒生成，滿足晶圓金屬化加工需求。

4、超高真空工藝設(shè)備采用全金屬密封結(jié)構(gòu)的超高真空控制閥，做到極低漏率，完成超高真空環(huán)境下壓力調(diào)節(jié)和腔體隔離。

5、集群設(shè)備負(fù)載鎖腔用于預(yù)真空鎖腔的壓力過渡控制，實現(xiàn)大氣到高真空的平穩(wěn)壓力轉(zhuǎn)換，縮短腔體抽真空時長；設(shè)備維護(hù)時隔離工藝腔體，其余腔體不用破真空，保障設(shè)備稼動水平。

6、設(shè)備后端輔助子系統(tǒng)將真空泵與工藝腔體做隔離，阻擋工藝副產(chǎn)物、腐蝕性氣體回流，保護(hù)真空泵，避免廢氣反向污染工藝腔體。

顯示面板行業(yè)

1、OLED 蒸鍍設(shè)備用于大尺寸基板蒸鍍腔體，精準(zhǔn)管控真空壓力，保證蒸鍍速率穩(wěn)定，完成腔體隔離，適配大世代產(chǎn)線設(shè)備。2、面板濺射、干法刻蝕設(shè)備后端壓力閉環(huán)調(diào)控，穩(wěn)定工藝腔體真空環(huán)境，適配玻璃基板加工高頻循環(huán)作業(yè)需求。

鍍膜與光伏產(chǎn)業(yè)

1、光學(xué)鍍膜、硬質(zhì)涂層設(shè)備調(diào)節(jié)真空腔體排氣流導(dǎo)，穩(wěn)定鍍膜壓力，用于光學(xué)鏡片、刀具硬質(zhì)涂層、裝飾鍍膜加工。2、光伏電池生產(chǎn)設(shè)備配套 PECVD、濺射類設(shè)備，調(diào)節(jié)工藝腔體真空壓力，服務(wù)硅基電池薄膜沉積，適配大批量量產(chǎn)工況。

科研與分析儀器

1、同步輻射、粒子加速器等大型科研裝置超高真空環(huán)境下實現(xiàn)壓力調(diào)節(jié)與腔體隔離，低出氣，可適應(yīng)輻射工況。2、實驗室真空設(shè)備、表面分析儀器實現(xiàn)真空度精細(xì)調(diào)節(jié)，用于材料表征、表面物理相關(guān)實驗。

其它工業(yè)真空場景

1、真空熱處理、真空燒結(jié)設(shè)備，管控爐腔真空壓力，實現(xiàn)工藝壓力曲線調(diào)節(jié)。2、檢漏設(shè)備、特種氣體處理真空管路，完成壓力調(diào)節(jié)與管路通斷隔離。

核心工藝作用

1、后端壓力閉環(huán)控制：改變流導(dǎo)大小，穩(wěn)定腔體工藝壓力，改善刻蝕、鍍膜工藝均勻性與產(chǎn)品良率。2、腔體隔離：閥門全關(guān)實現(xiàn)可靠密封，隔離工藝腔、負(fù)載鎖腔體、真空泵單元。3、防止回流污染：阻止泵端油氣、工藝副產(chǎn)物倒流進(jìn)入工藝腔體，減少顆粒污染。4、平緩抽放壓力：平穩(wěn)完成升降壓，規(guī)避壓力沖擊損壞工件與機(jī)臺零部件。