珀金埃爾默企業(yè)管理（上海）有限公司
利用單顆粒ICP-MS 在反應(yīng)模式下測定半導體有機溶劑中的含鐵納米顆粒
檢測樣品：半導體有機溶劑
檢測項目：含鐵納米顆粒
方案概述：半導體產(chǎn)品中的金屬污染使產(chǎn)品品質(zhì)降低。半導體寬度越小，對金屬污染物的容忍度越低。常見的金屬污染是過渡金屬元素和堿金屬元素。過渡金屬元素往往遍布半導體材料中并在表面形成多多種氧化物，其中鐵是較常見的污染物。
半導體產(chǎn)品中的金屬污染使產(chǎn)品品質(zhì)降低。半導體寬度越小，對金屬污染物的容忍度越低。常見的金屬污染是過渡金屬元素和堿金屬元素。過渡金屬元素往往遍布半導體材料中并在表面形成多多種氧化物，其中鐵是較常見的污染物。
單顆粒 ICP-MS 已成為納米顆粒分析的一種常規(guī)手段，采用不同的進樣系統(tǒng)，能在100-1000 顆粒數(shù)每毫升的極低濃度下對納米顆粒進行檢測、計數(shù)和表征。除了顆粒信息，單顆粒 ICP-MS 還可以在未經(jīng)前級分離的情況下檢測溶解態(tài)元素濃度。許多文獻表明單顆粒 ICP-MS 可以在各種基質(zhì)條件下對納米顆粒進行測量和表征，包括化學機械拋光漿料。
鐵離子（56Fe+）受到等離子體引起的 40Ar16O+的嚴重干擾。利用氨氣作反應(yīng)氣的動態(tài)反應(yīng)池技術(shù)是消除 40Ar16O+ 對鐵離子最高豐度同位素干擾 56Fe+ 有效的途徑，且只有對 56Fe+的分析才能獲得含鐵納米顆粒分析最低的檢出限。
本研究將證明利用單顆粒 ICP - MS 在反應(yīng)模式下測定和表征半導體有機溶劑中的含鐵納米顆粒是切實可行的。
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