珀金埃爾默企業管理（上海）有限公司
單顆粒ICP-MS測定化學-機械整平中使用的元素氧化物納米顆粒懸浮物的特性
檢測樣品：納米元素氧化物納米顆粒
檢測項目：定量和表征納米元素氧化物納米顆粒
方案概述：本研究概述了定量和表征納米元素氧化物納米顆粒（氧化鋁和氧化鈰），這些常用于納米電子學和半導體制造行業中化學-機械 （CMP）半導體表面的平整。CMP是一個結合了化學和機械外力平滑平面的過程，此步驟為光刻作準備。
本研究概述了定量和表征納米元素氧化物納米顆粒（氧化鋁和氧化鈰），這些常用于納米電子學和半導體制造行業中化學-機械 (CMP)半導體表面的平整。CMP是一個結合了化學和機械外力平滑平面的過程，此步驟為光刻作準備。
在半導體元器件制造中，CMP過程使用各種元素氧化物懸浮物和壓力，使化學和機械地拋光硅晶片。為降低電子設備尺寸和改善制造過程的產量，現在所使用的CMP懸浮物由納米顆粒組成。
CMP懸浮物納米粒子的尺寸分布特征，以及大顆粒的辨別，是光刻過程的質量控制的重要方面，可能會影響到硅晶片的質量。單顆粒模式ICP-MS（SP-ICP-MS）是分析金屬納米粒子的最有前途的技術之一。由于具有測量可溶分析物濃度和單個納米粒子， ICP-MS是一種用于分析半導體工業領域中各種分析物的理想儀器。
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