珀金埃爾默企業(yè)管理（上海）有限公司
單顆粒ICP-MS測(cè)定化學(xué)-機(jī)械整平中使用的元素氧化物納米顆粒懸浮物的特性
檢測(cè)樣品：納米元素氧化物納米顆粒
檢測(cè)項(xiàng)目：定量和表征納米元素氧化物納米顆粒
方案概述：本研究概述了定量和表征納米元素氧化物納米顆粒（氧化鋁和氧化鈰），這些常用于納米電子學(xué)和半導(dǎo)體制造行業(yè)中化學(xué)-機(jī)械 （CMP）半導(dǎo)體表面的平整。CMP是一個(gè)結(jié)合了化學(xué)和機(jī)械外力平滑平面的過(guò)程，此步驟為光刻作準(zhǔn)備。
本研究概述了定量和表征納米元素氧化物納米顆粒（氧化鋁和氧化鈰），這些常用于納米電子學(xué)和半導(dǎo)體制造行業(yè)中化學(xué)-機(jī)械 (CMP)半導(dǎo)體表面的平整。CMP是一個(gè)結(jié)合了化學(xué)和機(jī)械外力平滑平面的過(guò)程，此步驟為光刻作準(zhǔn)備。
在半導(dǎo)體元器件制造中，CMP過(guò)程使用各種元素氧化物懸浮物和壓力，使化學(xué)和機(jī)械地拋光硅晶片。為降低電子設(shè)備尺寸和改善制造過(guò)程的產(chǎn)量，現(xiàn)在所使用的CMP懸浮物由納米顆粒組成。
CMP懸浮物納米粒子的尺寸分布特征，以及大顆粒的辨別，是光刻過(guò)程的質(zhì)量控制的重要方面，可能會(huì)影響到硅晶片的質(zhì)量。單顆粒模式ICP-MS（SP-ICP-MS）是分析金屬納米粒子的最有前途的技術(shù)之一。由于具有測(cè)量可溶分析物濃度和單個(gè)納米粒子， ICP-MS是一種用于分析半導(dǎo)體工業(yè)領(lǐng)域中各種分析物的理想儀器。
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