OTSUKA大塚電子光譜橢圓儀

OTSUKA大塚電子光譜橢圓儀

產品信息

• 能夠測量紫外可見光（300~800nm）波長范圍內的橢圓參數。

• 支持對納米級多層薄膜的薄膜厚度分析

• 通過多通道光譜法對400多個通道的埃利普索光譜進行快速測量

• 支持通過可變反射角測量對薄膜進行詳細分析。

• 通過添加光學常數數據庫和配方注冊功能提升操作性

• 橢圓參數（tanψ， cosΔ）測量

• 光學常數分析（n：折射率，K：衰減系數）

• 薄膜厚度分析

• 半導體晶圓：
  柵氧化層薄膜、氮化物薄膜SiO
  ₂，SixO y，SiN，SiON，SiNx，Al₂O₃，SiN_xO_y聚硅、ZnSe、BPSG、TiN
  電阻的光學常數（波長色散）

• 化合物半導體
  _x加_（1-x）作為多層薄膜，非晶硅

• FPD
  對準膜

• 各種新材料：
  DLC（類碳金剛石）、超導薄膜、磁頭薄膜

• 光學薄膜
  TiO₂，SiO₂，防反射膜

• 光刻場：每個波長如
  g線（436nm）、h線（405nm）、i線（365nm）等各波長的n、k值

原理

將線偏振（包括S波和p波）注入樣品，測量反射光的橢圓偏振。 S波和p波的相位和振幅獨立變化，從而決定p波與s波反射率的比例tanψ，以及相位差δ，這些是兩種偏振方式的轉換參數，具體取決于樣品。

tanψ和consΔ稱為橢圓參數，光譜橢偏測量測量這兩個參數的波長相關光譜。