PlasmaPro 100 Cobra感應(yīng)耦合等離子刻蝕是英國牛津儀器公司推出的一款高性能、高靈活性的電感耦合等離子體刻蝕系統(tǒng)。PlasmaPro 100 Cobra感應(yīng)耦合等離子刻蝕主要服務(wù)于半導(dǎo)體、微機電系統(tǒng)、光電子器件及前沿納米技術(shù)等領(lǐng)域的研發(fā)與生產(chǎn)，專注于在各類材料上實現(xiàn)高精度、高深寬比的微納結(jié)構(gòu)刻蝕。

核心工作原理

其核心優(yōu)勢源于電感耦合等離子體源與反應(yīng)離子刻蝕的協(xié)同工作。系統(tǒng)采用獨特的“雙射頻獨立控制"設(shè)計：

上方的主射頻源通過線圈產(chǎn)生高密度、高度均勻的等離子體。這提供了大量高活性的化學(xué)自由基，主要負(fù)責(zé)決定材料的刻蝕速率。

下方的樣品臺射頻源則獨立控制，用于精確調(diào)整等離子體中離子轟擊樣品表面的能量和方向性。

這種設(shè)計允許工程師將“化學(xué)刻蝕作用"和“物理轟擊作用"分開進行精細(xì)調(diào)控，從而能靈活地在高刻蝕速率、優(yōu)異的刻蝕剖面控制、良好的側(cè)壁光滑度以及低材料損傷等目標(biāo)之間取得平衡。

關(guān)鍵性能與特點

刻蝕能力：該系統(tǒng)能夠?qū)崿F(xiàn)深寬比高達(dá)30:1的深刻蝕結(jié)構(gòu)，最小可加工特征尺寸可達(dá)30納米級別，滿足了多數(shù)前沿研究對精度的要求。

極寬的溫度窗口：其樣品臺具有從-150°C到+400°C的超寬溫度調(diào)節(jié)范圍。低溫刻蝕對于許多化合物半導(dǎo)體和聚合物材料至關(guān)重要，能有效抑制側(cè)壁化學(xué)反應(yīng)，獲得陡直剖面；而高溫則可能用于某些特殊的清洗或刻蝕工藝。

廣泛的材料與工藝兼容性：系統(tǒng)支持包括HBr, Cl?, SF?, C?F?, CHF?, O? 在內(nèi)的多種反應(yīng)氣體，可刻蝕硅、二氧化硅、氮化硅、III-V族化合物半導(dǎo)體、寬禁帶半導(dǎo)體等多種關(guān)鍵材料。特別值得一提的是，它集成了成熟的Bosch工藝，專門用于硅的快速、高深寬比深刻蝕，是制造MEMS器件的核心技術(shù)。

靈活的晶圓尺寸：可處理200毫米（8英寸） 的晶圓，同時也兼容4英寸、6英寸等更小尺寸的樣品，方便從研發(fā)到小批量生產(chǎn)的過渡。