Ionfab 300 IBE離子束刻蝕設備 參考價：面議
Ionfab 300 IBE離子束刻蝕設備具有靈活的硬件選項，包括直開式、單襯底傳送模式和盒式對盒式模式。系統配置與實際應用緊密協調，以確保獲得速率更快且重復性...
PlasmaPro 100 ALE原子層刻蝕設備 參考價：面議
PlasmaPro 100 ALE原子層刻蝕設備結合了針對GaN和AlGaN層優化的全集成Etchpoint?刻蝕深度監控解決方案，可為p-GaN HEMT和凹...
PlasmaPro 100 Estrelas深硅刻蝕設備 參考價：面議
PlasmaPro 100 Estrelas深硅刻蝕設備旨在提供深硅蝕刻（DSiE）領域的靈活性以滿足微電子機械系統（MEMS）、 優良封裝以及納米技術市場的各...
PlasmaPro 80 ICP等離子刻蝕設備 參考價：面議
PlasmaPro 80 ICP等離子刻蝕設備是一種結構緊湊、小型且使用方便的直開式系統，可提供多種刻蝕解決方案。 它易于放置，便于使用，且能夠確保工藝質量。
PlasmaPro 100 Polaris ICP等離子刻蝕設備 參考價：面議
PlasmaPro 100 Polaris ICP等離子刻蝕設備為得到更為優秀的刻蝕效果提供了智能解決方案，憑借在蝕刻GaN，SiC和藍寶石等材料方面的豐富經驗...
PlasmaPro 800 RIE反應離子刻蝕設備 參考價：面議
PlasmaPro 800 RIE反應離子刻蝕設備是結構緊湊、且使用方便的直開式系統，該系統為大批量晶圓和300mm晶圓上的反應離子蝕刻（RIE）工藝提供了靈活...
PlasmaPro 80 RIE反應離子刻蝕設備 參考價：面議
PlasmaPro 80 RIE反應離子刻蝕設備是一種結構緊湊、小尺寸且使用方便的直開式系統，可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。 它易于放置，便于使用，且能確保...
PlasmaPro 100 RIE反應離子刻蝕設備 參考價：面議
PlasmaPro 100 RIE反應離子刻蝕設備可為多種材料提供各向異性干法刻蝕工藝。
PlasmaPro 80 ICPCVD化學氣相沉積系統 參考價：面議
PlasmaPro 80 ICPCVD化學氣相沉積系統是一種結構緊湊且使用方便的小型直開式系統，可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。 它易于放置，便于使用，且能夠...
PlasmaPro 100 ICPCVD化學氣相沉積系統 參考價：面議
PlasmaPro 100 ICPCVD化學氣相沉積系統設計用于在低生長溫度下生產高質量的薄膜，通過高密度遠程等離子體實現，從而實現優秀的薄膜質量，同時減少基板...
PlasmaPro 100 PECVD化學氣相沉積系統 參考價：面議
PlasmaPro 100 PECVD化學氣相沉積系統設計PECVD工藝模式的目的是要在控制薄膜性能，如折射率、應力、電學特性和濕法化學刻蝕速率的前提下，生產均...
PlasmaPro 80 PECVD化學氣相沉積系統 參考價：面議
PlasmaPro 80 PECVD化學氣相沉積系統是一種結構緊湊且使用方便的小型直開式系統，可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。
PlasmaPro 800 PECVD化學氣相沉積系統 參考價：面議
PlasmaPro 800 PECVD化學氣相沉積系統為大批量晶圓和 300mm 晶圓的等離子增強化學氣相沉積 （PECVD） 工藝提供了靈活的解決方案，它采用...
Atomfab ALD原子層沉積系統 參考價：面議
Atomfab ALD原子層沉積系統為GaN功率器件和射頻器件提供快速、低損傷、低運營維護成本的等離子體原子層沉積（ALD）加工。
PlasmaPro ASP ALD原子層沉積系統 參考價：面議
PlasmaPro ASP ALD原子層沉積系統基于經過生產驗證的企業/專業研發平臺，旨在形成可集成到器件中的優質薄膜。它足夠靈活，可以進行多種化學反應，并可實...
FlexAL ALD原子層沉積系統 參考價：面議
FlexAL ALD原子層沉積系統可提供遠程等離子體原子層沉積（ALD），這為納米結構和器件的工程設計提供了一系列新的靈活性和可行性。
PlasmaPro 100 Cobra感應耦合等離子刻蝕 參考價：面議
PlasmaPro 100 Cobra感應耦合等離子刻蝕是英國牛津儀器公司推出的一款高性能、高靈活性的電感耦合等離子體刻蝕系統。它主要服務于優良半導體、微機電系...
1