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NMC 508CG多晶硅等離子硅刻蝕機 參考價：面議
NMC 508CG多晶硅等離子硅刻蝕機適用6/8英寸多晶硅、硅等干法刻蝕工藝。具備良好的形貌控制能力、高刻蝕速率、高刻蝕均勻性、低顆粒/缺陷等性能優勢。該機臺為...
Ionfab 300 IBE離子束刻蝕設備 參考價：面議
Ionfab 300 IBE離子束刻蝕設備具有靈活的硬件選項，包括直開式、單襯底傳送模式和盒式對盒式模式。系統配置與實際應用緊密協調，以確保獲得速率更快且重復性...
PlasmaPro 100 ALE原子層刻蝕設備 參考價：面議
PlasmaPro 100 ALE原子層刻蝕設備結合了針對GaN和AlGaN層優化的全集成Etchpoint?刻蝕深度監控解決方案，可為p-GaN HEMT和凹...
PlasmaPro 100 Estrelas深硅刻蝕設備 參考價：面議
PlasmaPro 100 Estrelas深硅刻蝕設備旨在提供深硅蝕刻（DSiE）領域的靈活性以滿足微電子機械系統（MEMS）、 優良封裝以及納米技術市場的各...
PlasmaPro 80 ICP等離子刻蝕設備 參考價：面議
PlasmaPro 80 ICP等離子刻蝕設備是一種結構緊湊、小型且使用方便的直開式系統，可提供多種刻蝕解決方案。 它易于放置，便于使用，且能夠確保工藝質量。
PlasmaPro 100 Polaris ICP等離子刻蝕設備 參考價：面議
PlasmaPro 100 Polaris ICP等離子刻蝕設備為得到更為優秀的刻蝕效果提供了智能解決方案，憑借在蝕刻GaN，SiC和藍寶石等材料方面的豐富經驗...
PlasmaPro 800 RIE反應離子刻蝕設備 參考價：面議
PlasmaPro 800 RIE反應離子刻蝕設備是結構緊湊、且使用方便的直開式系統，該系統為大批量晶圓和300mm晶圓上的反應離子蝕刻（RIE）工藝提供了靈活...
PlasmaPro 80 RIE反應離子刻蝕設備 參考價：面議
PlasmaPro 80 RIE反應離子刻蝕設備是一種結構緊湊、小尺寸且使用方便的直開式系統，可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。 它易于放置，便于使用，且能確保...
PlasmaPro 100 RIE反應離子刻蝕設備 參考價：面議
PlasmaPro 100 RIE反應離子刻蝕設備可為多種材料提供各向異性干法刻蝕工藝。
nano Etch反應離子（RIE）刻蝕系統 參考價：面議
nano Etch反應離子（RIE）刻蝕系統，專為石墨烯和2D材料的高精度加工設計。nanoETCH具備高精度射頻源和毫瓦級功率控制，能實現逐層刻蝕及層內缺陷制...
SI 591反應離子刻蝕（RIE）設備 參考價：面議
SI 591反應離子刻蝕（RIE）設備采用模塊化設計，適用于III/V半導體和Si加工工藝，具備高均勻性和優重復性的蝕刻工藝。其主要特點包括預真空鎖loadlo...
AEH系列單片濕法刻蝕設備 參考價：面議
AEH系列單片濕法刻蝕設備，以精準化學刻蝕去除晶圓材料，具備高精度、低污染優勢，適配 4-12 英寸晶圓，可用于優良封裝、化合物半導體等多工藝場景。
PlasmaPro 100 Cobra感應耦合等離子刻蝕 參考價：面議
PlasmaPro 100 Cobra感應耦合等離子刻蝕是英國牛津儀器公司推出的一款高性能、高靈活性的電感耦合等離子體刻蝕系統。它主要服務于優良半導體、微機電系...
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