SILAYO PEALD 光學涂層原子層沉積系統 參考價：面議
SILAYO PEALD 光學涂層原子層沉積系統擴展了 SENTECH ALD 和 PEALD 產品組合，適用于 330 毫米基底和三維基底的沉積。
SIPAR ICP化學氣相沉積系統 參考價：面議
SIPAR ICP化學氣相沉積系統開發并設計適用于多種沉積模式和工藝，采用靈活的系統架構。該工具包括ICP等離子體源PTSA、一個動態溫控基板電極和一個全部控制...
Depolab 200 PECVD 開放蓋化學氣相沉積系統 參考價：面議
Depolab 200 PECVD 開放蓋化學氣相沉積系統具有堅固的設計、可靠性和靈活的軟硬件。該系統開發了多種工藝，例如高品質氮化硅和氧化硅層沉積。該系統包括...
SI 500 D ICPECVD化學氣相沉積系統 參考價：面議
SI 500 D ICPECVD化學氣相沉積系統代表了感應耦合等離子體（ICP）處理在研究和工業領域的前沿地位，用于等離子體增強化學氣相沉積，涵蓋介電薄膜、非硅...
SI PEALD等離子體增強原子層沉積系統 參考價：面議
SI PEALD等離子體增強原子層沉積系統能夠在低溫下均勻且貼合地涂層敏感基底和層。樣品表面提供高通量的反應性氣體，無需紫外線或離子轟擊。
SI 591反應離子刻蝕（RIE）設備 參考價：面議
SI 591反應離子刻蝕（RIE）設備采用模塊化設計，適用于III/V半導體和Si加工工藝，具備高均勻性和優重復性的蝕刻工藝。其主要特點包括預真空鎖loadlo...
1