目錄:華兆科技（廣州）有限公司>>半導體設(shè)備>>外延設(shè)備>> HMF-MBE-200 強磁場MBE外延系統(tǒng)
HMF-MBE-200 強磁場MBE外延系統(tǒng)配置不同類型的蒸發(fā)源，適用于強磁場下多種材料體系研究，可生長金屬、磁性薄膜及半導體異質(zhì)結(jié)，適合互聯(lián)多種原位量測系統(tǒng)。同時系統(tǒng)操作簡單，模塊化腔室構(gòu)型，方便日常維護保養(yǎng)。
HMF-MBE-200 強磁場MBE外延系統(tǒng)特點：
集成無液氦強磁場超導磁鐵
可實現(xiàn)室溫強磁場條件下分子束外延生長
生長源部件：3xDN40CF（強磁場下生長鐵磁材料）、2xDN40CF（生長常規(guī)金屬）、1xDN40CF（射頻等離子源）
| HMF-MBE-200 | 模塊描述 | 配置參數(shù) | |
| 生長室 | 腔體 | 腔體材料 | SS316 |
| 腔體尺寸 | 200mm I.D | ||
| 烘烤溫度 | Max.200℃ | ||
| 本底真空 | < 5×10-10 mbar | ||
| 抽氣系統(tǒng) | 300L/s分子泵+10m3/h機械泵 | ||
| 真空測量系統(tǒng) | 離子規(guī)+Pirani規(guī) | ||
| 離子泵 | 選配 | ||
| 樣品架 | 樣品尺寸 | Flag-type樣品托 | |
| 襯底加熱方式 | 輻射加熱 | ||
| 襯底加熱器溫度 | 1200K | ||
| 部件 | 蒸發(fā)源配置 | 6xDN40CF | |
| 獨立的蒸發(fā)源擋板 | 氣動驅(qū)動 | ||
| QCM | 選配 | ||
| Ion Source | 選配 | ||
| RGA | 選配 | ||
| 超導磁體 | 磁體類型 | 干式/GM制冷 | |
| 磁體環(huán)境 | 室溫腔體 | ||
| 腔體內(nèi)徑 | 105mm | ||
| 磁場強度 | ±9T | ||
| 磁場均勻性 | <0.1% | ||
| 快速進樣室 | 腔體 | 腔體材料 | SS316 |
| 烘烤溫度 | Max.200℃ | ||
| 本底真空 | <5×10-8 mbar | ||
| 抽氣系統(tǒng) | 80L/s分子泵+10m3/h機械泵 | ||
| 真空測量系統(tǒng) | 全量程規(guī) | ||
| 部件 | 樣品停放臺 | 6或12工位 | |
| 傳樣桿 | CF35/600mm | ||
| 機械手 | CF35/150mm | ||
| 系統(tǒng)集成及控制 | GUIDE軟件 | 標配 | |
| 烘烤系統(tǒng) | 標配 | ||
| 系統(tǒng)支架 | 標配 | ||
| 真空照明系統(tǒng) | 選配 | ||
| 等離子清洗 | 選配 | ||
| CCD相機 | 選配 | ||
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