SI 500 D ICPECVD化學氣相沉積系統代表了感應耦合等離子體（ICP）處理在研究和工業領域的前沿地位，用于等離子體增強化學氣相沉積，涵蓋介電薄膜、非硅、硅化及其他材料。該系統包括ICP等離子體源PTSA、動態溫控基板電極和全控制真空系統。SI 500 D ICPECVD化學氣相沉積系統內置的柔性負載鎖可處理從100毫米至直徑200毫米的多種基材，以及載體上的基底。單片真空負載鎖和機械夾緊保證了穩定狀態，并允許過程簡單切換。

主要特點與優勢

優異的高密度等離子體

SENTECH SI 500 D 感應耦合（IC）PECVD系統具備優異的等離子體特性，如介電薄膜的高密度、低離子能量和低壓等離子體沉積，以及鈍化層的低損傷、低溫沉積。

低應力感應耦合PECVD

SiNx作為GaN HEMT鈍化和SiOx用于溝槽填充的低應力ICPECVD可實現出色的均勻性和重復性，應用于射頻和功率器件、光子學等領域。

SENTECH專有等離子體源技術

SENTECH平面三螺旋天線（PTSA）源是我們ICP工藝系統的獨特特性。PTSA源產生高離子密度、低離子能量的均勻等離子體，適合高質量且低損傷的感應耦合PECVD沉積，包括SiO2、Si3N4、a-Si、SiC、DLC及摻雜層。

沉積層的優異性能

低蝕刻速率、高擊穿電壓、低應力、基板無損傷，以及沉積溫度低于100°C的極低界面態密度，使沉積薄膜具有優異的性能。

動態溫度控制

等離子體沉積過程中基底溫度設置和穩定性是高質量刻蝕的嚴格標準。基底電極結合動態溫控，配合氦（He）背面冷卻和基底背面溫度傳感，即使在低溫下也能沉積高質量的層。