SIPAR ICP化學氣相沉積系統開發并設計適用于多種沉積模式和工藝，采用靈活的系統架構。該工具包括ICP等離子體源PTSA、一個動態溫控基板電極和一個全部控制的真空系統。該系統將等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）和原子層沉積（ALD）結合在同一個反應堆中。

主要特點與優勢

順序沉積

SSIPAR ICP化學氣相沉積系統結合了原子層沉積（ALD）和感應耦合等離子體增強真空沉積（ICPECVD）技術，采用序列沉積方法，在同一反應室內進行。用戶可以利用這兩種工藝的優勢，實現精確、趨同且高質量的多層薄膜，并能出色控制薄膜厚度、均勻性、選擇性和沉積速率。這在優良有機電子學、微電子學、納米技術和半導體器件研究中尤為重要。

靈活系統架構

該系統采用靈活的系統架構，設計和開發適用于多種沉積模式和過程。由均勻且貼合沉積的ALD層和快速生長的ICPECVD薄膜組成的混合多層，在有機器件技術、納米技術以及半導體研究和工業領域帶來了優勢。

成本效益      

SENTECH SIPAR ICP 高效的多層沉積能力和小巧的占地面積使其具備成本效益且多功能。它非常適合用于有機器件技術、納米技術和半導體研究領域的研發和學術機構。