PlasmaPro 100 RIE反應(yīng)離子刻蝕設(shè)備可為多種材料提供各向異性干法刻蝕工藝。

兼容200mm以下所有尺寸的晶圓              

快速更換不同尺寸晶圓          

購(gòu)置成本低且易于維護(hù)           

出色的均勻性，高產(chǎn)量和高工藝精度

實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)清洗工藝， 并且可自動(dòng)停止工藝     

電極的適用溫度范圍寬，-150°C至400°C

PlasmaPro 100 RIE反應(yīng)離子刻蝕設(shè)備特點(diǎn)：                       

通過均勻的高導(dǎo)通路徑連接的腔室，將反應(yīng)粒子輸送到襯底             

在維持低氣壓的同時(shí)，允許使用較高的氣體流量                   

電極的溫度范圍寬（-150°C至+ 400°C）                     

可通過液氮，液體循環(huán)制冷機(jī)制冷或電阻絲加熱  —— 可選的吹排及液體更換單元可自動(dòng)進(jìn)行模式切換

循環(huán)制冷機(jī)單元控制電極溫度                

出色的襯底溫度控制能力                

高抽氣能力 —— 提供了更寬的工藝氣壓窗口           

晶圓壓盤與背氦制冷

保證更好的晶片溫度控制