目錄:華兆科技（廣州）有限公司>>半導(dǎo)體設(shè)備>>刻蝕設(shè)備Etch>> PlasmaPro 100 Polaris ICP等離子刻蝕設(shè)備
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更新時(shí)間：2026-03-26 17:56:40瀏覽次數(shù)：170評(píng)價(jià)
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憑借在蝕刻GaN，SiC和藍(lán)寶石等材料方面的豐富經(jīng)驗(yàn)，我們的技術(shù)既能夠滿足性價(jià)比的要求、又能使器件的性能得到更優(yōu)化。
PlasmaPro 100 Polaris ICP等離子刻蝕設(shè)備為得到更為優(yōu)秀的刻蝕效果提供了智能解決方案，使您在行業(yè)中能保持競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。
高效的刻蝕速率
低購(gòu)置成本
專為腐蝕性的化學(xué)成分而設(shè)計(jì)
出色的刻蝕均勻性
適用于藍(lán)寶石的靜電壓盤技術(shù)
藍(lán)寶石和硅上的GaN
高導(dǎo)通抽氣系統(tǒng)
可與其它PlasmaPro系統(tǒng)集成
PlasmaPro 100 Polaris ICP等離子刻蝕設(shè)備為得到更為優(yōu)秀的刻蝕效果提供了智能解決方案，使您在行業(yè)中能保持競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。
主動(dòng)冷卻電極 - 在刻蝕過程中保持樣品溫度
高功率ICP源 - 產(chǎn)生高密度等離子體
可靠的硬件且易于維護(hù) - 可保持長(zhǎng)時(shí)間正常運(yùn)轉(zhuǎn)
磁場(chǎng)墊環(huán) - 增強(qiáng)離子的控制和均勻性
靜電壓盤技術(shù) - 適用于藍(lán)寶石，以及藍(lán)寶石和硅基的GaN
加熱的腔室內(nèi)襯 - 優(yōu)化以減少腔壁沉積
優(yōu)良的自動(dòng)匹配單元（AMU） - 提供快速，高效和準(zhǔn)確的匹配，確保工藝的高度精準(zhǔn)重復(fù)性
(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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