雙腔型原子層沉積ALD系統采用噴淋模式雙腔反應腔設計，核心面向高效研發與中試生產場景，可制備原子級精度的高質量薄膜，廣泛適配半導體、微電子、能源存儲、生物醫療等前沿領域的薄膜工藝需求。
核心技術特點
• 雙腔噴淋式結構設計
雙腔型原子層沉積ALD系統采用獨立的雙腔噴淋式反應腔，是區別于單腔橫流模式的核心優勢。兩個反應腔可獨立運行，既能并行開展相同工藝實現批量處理，也能同時進行不同工藝的研發實驗，大幅提升實驗效率；噴淋式氣體分布設計能讓前驅體在襯底表面均勻擴散，保障薄膜的均勻性與保形性，尤其適配高縱深比、三維復雜結構的襯底；雙腔可獨立調控溫度、壓力等核心工藝參數，支持多樣化實驗方案設計，還能實現 “一腔沉積 + 一腔準備" 的連續工作模式，減少工藝等待時間，提升整體產能。
• 高精度溫度控制體系
系統具備全鏈路精準溫控能力，襯底溫度覆蓋室溫（RT）至 500℃，控制精度達 ±0.5℃，滿足不同 ALD 工藝的溫度需求；前驅體輸送管路可加熱至 RT-200℃，有效防止前驅體冷凝，保障穩定傳輸；閥體內置加熱器同樣支持 RT-200℃加熱，且響應時間小于 5ms，確保 ALD 脈沖的快速、精準控制，是實現原子級厚度調控的關鍵。
• 多元前驅體輸送系統
系統支持 4-8 路前驅體源接入，可兼容液態、固態、氣態前驅體及臭氧源，適配多種薄膜沉積工藝；標配 50mL 揮發式容器與 100mL 載氣輔助式容器，特殊規格可按需定制；配備三孔 ALD 專用閥門，響應時間小于 5ms，實現前驅體脈沖的毫秒級精準控制；可選配臭氧發生器與臭氧破壞器，滿足 Al?O?、HfO?等氧化物薄膜的沉積需求，同時保障尾氣處理安全。
• 全自動化與安全防護功能
系統搭載 “一鍵沉積" 自動化流程，可實現從工藝啟動、參數調控到沉積完成的全流程無人值守操作；實時顯示動力氣體壓力、系統真空度、加熱狀態、閥門開關狀態、鍍膜進度等核心參數，方便操作人員實時監控；具備自動充氣、超壓保護功能，遇到壓力異常、溫度超標等情況時，會自動報警并觸發保護機制，避免設備損壞與樣品損失，保障操作安全。